[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201911048659.3 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110854168B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 唐甲 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,设于所述衬底基板上;
彩膜层,设于所述薄膜晶体管层上,所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元;
平坦层,设于所述彩膜层上,且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽;
阳极层,对应所述子彩膜单元阵列的位置设于所述平坦层上;
光反射层,设于所述第一凹槽内,用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线,使得反射的光线穿过所述子彩膜单元;以及
像素定义层,对应所述第一凹槽的位置设于所述光反射层及所述平坦层上,并定义出像素区域;
其中所述光反射层包括:
金属层,设于所述第一凹槽内;
氧化铟锡层,所述氧化铟锡层设于所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽,所述金属层设于所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽,所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凹槽的横截面呈倒梯形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金。
4.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
制作衬底基板;
制作薄膜晶体管层,在所述衬底基板上制作薄膜晶体管层;
制作彩膜层,在所述薄膜晶体管层上制作彩膜层,所述彩膜层包括间隔分布的子彩膜单元;
制作平坦层,在所述彩膜层上制作平坦层,所述平坦层在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有第一凹槽;
制作阳极层,在对应所述子彩膜单元阵列的位置的所述平坦层上制作阳极层;
制作光反射层,在所述第一凹槽内制作光反射层,用于阻挡并反射所述平坦层内横向传播的光线,使得反射的光线穿过所述子彩膜单元;以及
制作像素定义层,在对应所述第一凹槽的位置的所述光反射层及所述平坦层上制作像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域;
其中,所述制作光反射层包括步骤:
制作金属层,在所述第一凹槽内制作金属层;所述金属层的材质包括Al、Mo、Cu中的一种或几种的合金;
制作氧化铟锡层,在所述第一凹槽的侧壁和底面上制作氧化铟锡层,所述氧化铟锡层形成第二凹槽;
其中所述制作金属层步骤包括在所述第二凹槽的侧壁和底面上制作所述金属层,所述金属层形成第三凹槽;
所述制作像素定义层步骤包括在所述第三凹槽内制作所述像素定义层,所述像素定义层覆盖所述金属层并填充所述第三凹槽。
5.根据权利要求4所述阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作阳极层及所述制作光反射层包括步骤:
制作氧化铟锡层,在所述平坦层上制作氧化铟锡层,所述氧化铟锡层覆盖在所述第一凹槽的侧壁和底面上形成第二凹槽;
制作金属层,在所述氧化铟锡层上制作金属层,所述金属层覆盖在所述第二凹槽的侧壁和底面上形成第三凹槽;
制作光阻层,在所述金属层上制作光阻层并图案化,所述光阻层环绕所述第三凹槽设有第一刻蚀槽,所述光阻层包括所述第一刻蚀槽环绕的第一光阻层以及位于相邻所述第一刻蚀槽之间的第二光阻层,所述第二光阻层的厚度小于所述第一光阻层的厚度;
制作阳极层及光反射层,对所述金属层在对应所述第一刻蚀槽位置进行蚀刻形成第二刻蚀槽;对所述氧化铟锡层在对应所述第二刻蚀槽位置进行蚀刻;清除所述第二光阻层并对所述金属层进行蚀刻形成所述阳极层;清除所述第一光阻层形成所述光反射层。
6.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求书1-3中任一项所述的阵列基板;
发光层,设于所述像素区域内的所述阳极层上;以及
阴极层,设于所述发光层上。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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