[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成图案化的第一金属结构层；

在所述基板上形成绝缘层；

在所述基板上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第二金属结构层，所述第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层；

采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，图案化的所述第二金属结构层包括源极和漏极；其中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成第二金属结构层，包括以下步骤：

采用溅镀工艺在所述半导体层上依次形成第三金属薄膜层、所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层，以形成所述第二金属结构层；

在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层的步骤中，所述第一金属薄膜层、所述第三金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第三金属薄膜层为阳极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二金属薄膜层的厚度小于所述第三金属薄膜层的厚度。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，包括以下步骤：

在所述第二金属结构层上形成一光阻层；

采用掩模板对所述光阻层进行图案化处理，至少形成对应于所述第二金属结构层的源极设置区域和漏极设置区域的第一部分、以及对应于所述源极设置区域和所述漏极设置区域之间的沟道设置区域的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；

以图案化的所述光阻层为掩模，采用所述电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成初步图案化的所述第二金属结构层；

灰化图案化的所述光阻层，薄化所述第一部分并去除所述第二部分，裸露出位于所述沟道设置区域的所述第二金属结构层；

采用所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构层进行刻蚀，以至少形成所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道；其中，在所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构层进行刻蚀的过程中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极；

去除所述光阻层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀的步骤之后，还包括：

采用所述电解质溶液对所述半导体层进行刻蚀，以形成图案化的所述半导体层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成图案化的第一金属结构层，包括以下步骤：

在所述基板上依次形成第四金属薄膜层、第五金属薄膜层和第六金属薄膜层，以形成所述第一金属结构层；

采用电解质溶液刻蚀所述第一金属结构层，以形成图案化的所述第一金属结构层；其中，所述第四金属薄膜层、所述第五金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第四金属薄膜层为阳极，所述第五金属薄膜层、所述第六金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第六金属薄膜层为阳极。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述形成图案化的所述第二金属结构层的步骤之后，还包括：

在所述基板上形成图案化的保护层，所述保护层覆盖所述第二金属结构层；

在所述保护层上形成图案化的像素电极层，所述像素电极层电连接于所述漏极。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述电解质溶液为过氧化氢系刻蚀液。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一金属薄膜层的材料为铜。