[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板

说明书

本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成第一金属结构层、绝缘层、半导体层和第二金属结构层，第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层，采用电解质溶液对第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的第二金属结构层，图案化的第二金属结构层包括源极和漏极；本申请通过将第一金属薄膜层、第二金属薄膜层和电解质溶液形成原电池，并以第二金属薄膜层为阳极，抑制了第一金属薄膜层的腐蚀速率，满足了窄沟道薄膜晶体管的应用需求。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板。

背景技术

目前，具有大尺寸、高帧率处理和可见光范围内穿透率高等显著优点的有源矩阵液晶显示和有源矩阵有机电致发光二极管在显示领域具有广阔的应用前景。

随着显示面板尺寸的增大，为了进一步降低金属走线的电容-电阻延时效应，金属布线业已采用以铜为主要材料制备金属走线的技术路线。与此同时，为了增加显示面板的分辨率，在提高开口率的前提下，尽量使薄膜晶体管的尺寸达到最小化。然而，在采用刻蚀工艺对金属膜层进行图案化处理时，由于铜在刻蚀液中的腐蚀速率较快，通常会导致薄膜晶体管的沟道(源极和漏极之间的距离)变宽，因而无法满足窄沟道薄膜晶体管的应用需求。

发明内容

本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，降低了铜在刻蚀液中的腐蚀速率，以满足窄沟道薄膜晶体管的应用需求。

本申请提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成图案化的第一金属结构层；

在所述基板上形成绝缘层；

在所述基板上形成半导体层；

在所述半导体层上形成第二金属结构层，所述第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层；

采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，图案化的所述第二金属结构层包括源极和漏极；其中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述半导体层上形成第二金属结构层，包括以下步骤：

采用溅镀工艺在所述半导体层上依次形成第三金属薄膜层、所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层，以形成所述第二金属结构层；

在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层的步骤中，所述第一金属薄膜层、所述第三金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第三金属薄膜层为阳极。

在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第二金属薄膜层的厚度小于所述第三金属薄膜层的厚度。

在本申请的阵列基板的制备方法中，采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，包括以下步骤：

在所述第二金属结构层上形成一光阻层；

采用掩模板对所述光阻层进行图案化处理，至少形成对应于所述第二金属结构层的源极设置区域和漏极设置区域的第一部分、以及对应于所述源极设置区域和所述漏极设置区域之间的沟道设置区域的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；

以图案化的所述光阻层为掩模，采用所述电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成初步图案化的所述第二金属结构层；

灰化图案化的所述光阻层，薄化所述第一部分并去除所述第二部分，裸露出位于所述沟道设置区域的所述第二金属结构层；