[发明专利]一种氧化铟及其前驱体的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铟前驱体的制备方法，其特征在于，所述氧化铟前驱体的制备方法以金属铟为阳极、惰性电极为阴极、铵盐水溶液为电解液进行电解，电解的同时向电解槽中加入双氧水，即得所述氧化铟前驱体，所述氧化铟前驱体为氢氧化铟；采用阳离子选择性透过膜将所述电解槽分为阳极室和阴极室，所述阳极室均与阳极液储槽相连通，所述阴极室均与阴极电解液储槽相连通；在电解过程中，所述双氧水被加入所述阴极室，阳极液在所述阳极室与所述阳极液储槽之间循环流动，阴极电解液由所述阴极电解液储槽流经所述阴极室再流至所述阳极液储槽，当所述阳极液的固体质量浓度为3-12％时，将所述阳极液进行固液分离，分离后的液体可用作所述电解的阳极电解液和阴极电解液；其中，所述铵盐水溶液为pH值为3.5-8.0、硝酸铵浓度为0.2-2.5mol/L的硝酸铵水溶液，所述阳极液的循环流动速度为15-30L/(A·h)，所述阴极电解液的循环流动速度为0.02-0.06L/(A·h)，所述双氧水的添加速度为0.023～0.038mol/(A·h)，所述电解的电流密度为400-1800A/m²，电解温度为20-50℃。

2.根据权利要求1所述的氧化铟前驱体的制备方法，其特征在于，所述惰性电极为铝板、不锈钢板、钛板、高纯石墨、涂覆或者镀贵金属的钛电极中的至少一种；所述铵盐水溶液中的铵盐为硝酸铵、氯化铵、硫酸铵、醋酸铵中的至少一种；所述阳离子选择性透过膜包括质子膜、全氟磺酸离子膜、全氟羧酸磺酸复合膜中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的氧化铟前驱体的制备方法，其特征在于，所述氧化铟前驱体的比表面积为70-90m²/g。

4.根据权利要求1所述的氧化铟前驱体的制备方法，其特征在于，所述阳极与所述阴极之间的电极间距为10-40mm。

5.一种氧化铟的制备方法，其特征在于，所述氧化铟的制备方法包括以下步骤：先如权利要求1-4中任一项所述的氧化铟前驱体的制备方法制得所述氧化铟前驱体，再将所述氧化铟前驱体进行煅烧制得所述氧化铟。

6.根据权利要求5所述的氧化铟的制备方法，其特征在于，所述氧化铟的比表面积为18-30m²/g，粒度为40-80nm。