[发明专利]微型发光二极管的显示阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管的显示阵列，其特征在于，所述显示阵列包括电路板(10)和多个间隔设置在所述电路板(10)上的发光芯片(20)；每个所述发光芯片(20)包括依次层叠在所述电路板(10)上的P型电极(21)、空穴产生层(22)、有源层(23)、电子产生层(24)和N型电极(25)；所述电子产生层(24)的第一表面区域设有向所述有源层(23)延伸的凹槽(100)，所述第一表面区域内的点与所述发光芯片(20)的边缘之间的距离小于第一阈值，所述第一阈值为0.9μm～1.1μm；所述凹槽(100)内的所述电子产生层(24)的第二表面区域注入有镁离子，所述第二表面区域内的点与所述发光芯片(20)的边缘之间的距离在第二阈值和第三阈值之间，所述第二阈值小于所述第三阈值，所述第三阈值小于所述第一阈值，所述第二阈值为0.25μm～0.35μm，所述第三阈值为0.55μm～0.65μm；所述第一表面区域的电子产生层(24)的厚度为0.4μm～0.6μm，所述第二表面区域的电子产生层(24)中镁离子与所述有源层(23)之间的最小距离为0.08μm～0.12μm。

2.根据权利要求1所述的显示阵列，其特征在于，所述电子产生层(24)的第二表面区域还注入有氧离子。

3.根据权利要求1或2所述的显示阵列，其特征在于，所述显示阵列还包括吸光块(30)，所述吸光块(30)设置在相邻两个所述发光芯片(20)之间的电路板(10)上，所述吸光块(30)的高度与所述发光芯片(20)的高度相等。

4.根据权利要求3所述的显示阵列，其特征在于，所述吸光块(30)与所述发光芯片(20)相对的表面设有V型开口(31)；所述吸光块(30)与所述电子产生层(24)相对部分的V型开口(31)中，远离所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面平行，靠近所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面之间的夹角为锐角；所述吸光块(30)与所述有源层(23)相对部分的V型开口(31)中，远离所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面之间的夹角、靠近所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面的夹角均为锐角且大小相等；所述吸光块(30)与所述空穴产生层(22)相对部分的V型开口(31)中，远离所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面之间的夹角为锐角，靠近所述电路板(10)的侧壁与所述电路板(10)的表面平行。

5.一种微型发光二极管的显示阵列的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在生长衬底上依次形成电子产生层、有源层和空穴产生层，形成外延片；

将所述空穴产生层键合到玻璃基板上；

采用湿法腐蚀的方式去除所述生长衬底；

将所述电子产生层绑定到蓝宝石衬底上；

去除所述玻璃基板；

在所述空穴产生层上形成P型电极；

将所述P型电极键合到电路板上；

采用激光剥离的方式去除所述蓝宝石衬底；

在所述电子产生层的第一表面区域开设向所述有源层延伸的凹槽，所述第一表面区域内的点与所述外延片的边缘之间的距离小于第一阈值，所述第一阈值为0.9μm～1.1μm；

在所述凹槽内的电子产生层的第二表面区域注入镁离子，所述第二表面区域内的点与所述外延片的边缘之间的距离在第二阈值和第三阈值之间，所述第二阈值小于所述第三阈值，所述第三阈值小于所述第一阈值，所述第二阈值为0.25μm～0.35μm，所述第三阈值为0.55μm～0.65μm；所述第一表面区域的电子产生层的厚度为0.4μm～0.6μm，所述第二表面区域的电子产生层中镁离子与所述有源层之间的最小距离为0.08μm～0.12μm；

在所述凹槽外的电子产生层上形成N型电极，形成发光芯片。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在将所述空穴产生层键合到玻璃基板上之前，对所述外延片的第三表面区域进行干法刻蚀，所述第三表面区域内的点与所述外延片的边缘之间的距离小于第四阈值，所述第四阈值为1.2毫米～1.8毫米。