[发明专利]一种功率检测电路及功率检测器

权利要求书

1.一种功率检测电路，其特征在于，包括第一BJT管(Q1)、第二BJT管(Q2)、第三BJT管(Q3)、第四BJT管(Q4)、第五BJT管(Q5)、第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、低压电容(C_low)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、低压电阻(R_low)、负载电阻(R_load)、第一电感(TL1)和第二电感(TL2)，其中

BJT管为双极结型晶体管，PMOS管为P沟道金属氧化物半导体场效应管；

所述功率检测电路的第一输入端(V_in+)通过所述第一电容(C1)连接至所述第一电感(TL1)的第一端及所述第二电容(C2)的第一端，所述第一电感(TL1)的第二端接地，所述第二电容的第二端连接至第一BJT管(Q1)的基极，所述第一BJT管(Q1)的集电极连接至第一PMOS管(M1)的漏极，所述第一BJT管(Q1)的发射极连接至所述第五BJT管(Q5)的集电极；

所述功率检测电路的第二输入端(V_in-)通过所述第三电容(C3)连接至所述第二电感(TL2)的第一端及所述第四电容(C4)的第一端，所述第二电感(TL2)的第二端接地，所述第四电容的第二端连接至所述第二BJT管(Q2)的基极，所述第二BJT管(Q2)的集电极连接至所述第一PMOS管(M1)的漏极，所述第二BJT管(Q2)的发射极连接至所述第五BJT管(Q5)的集电极；

所述第四BJT管(Q4)的基极通过所述第一电阻(R1)连接至所述第一BJT管(Q1)的基极并通过所述第二电阻(R2)连接至所述第二BJT管(Q2)的基极，所述第四BJT管(Q4)的集电极连接至电源(VDD)，所述第四BJT管(Q4)的发射极连接至所述第五BJT管(Q5)的集电极；

所述第一PMOS管(M1)的栅极与漏极连接并通过低压电阻(R_low)连接至所述第二PMOS管(M2)的栅极，所述第一PMOS管(M1)的源极连接至所述电源(VDD)，所述第二PMOS管(M2)的源极连接至所述电源(VDD)，所述第二PMOS管(M2)的漏极连接至所述功率检测电路的输出端(V_out)，所述低压电容(C_low)的两端分别连接至所述第二PMOS管(M2)的栅极和源极；

所述第五BJT管(Q5)的基极通过所述第三电阻(R3)连接至偏置电压(V_bias)并通过所述第四电阻(R4)连接至所述第三BJT管(Q3)的基极，所述第五BJT管(Q5)的发射极接地；

所述第三BJT管(Q3)的集电极连接至所述功率检测电路的输出端(V_out)，所述第三BJT管(Q3)的发射极接地；及

所述负载电阻(R_load)的第一端接地，第二端连接至所述输出端(V_out)。

2.根据权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于，所述第一BJT管(Q1)和所述第二BJT管(Q2)为差分输入晶体管。

3.根据权利要求2所述的功率检测电路，其特征在于，所述第一BJT管(Q1)和所述第二BJT管(Q2)均工作在A类放大区。

4.根据权利要求3所述的功率检测电路，其特征在于，所述第一BJT管(Q1)和所述第二BJT管(Q2)的发射极宽度相同。

5.根据权利要求4所述的功率检测电路，其特征在于，所述第四BJT管(Q4)的发射极宽度为所述第一BJT管(Q1)的B倍。

6.根据权利要求5所述的功率检测电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)和所述第二电阻(R2)的阻值大于第一阈值，使得流经所述第四BJT管(Q4)的电流小于第二阈值。