[发明专利]一种功率检测电路及功率检测器

说明书

本发明公开一种功率检测电路及功率检测器，在传统的功率检测电路的基础上增加了非匹配BJT管Q4，BJT管Q4的基极通过两个电阻R1与R2连接至BJT管Q1与Q2的基极，同时增加了BJT管Q5作为电流源为BJT管Q1、BJT管Q2、BJT管Q4提供电流，使得差分输入BJT管Q1与Q2均工作在A类放大区。本发明的功率检测电路的电路结构简单、面积小、成本低、性能优良，能够实现宽动态范围、低温度敏感度以及低频率敏感度的功率检测。本发明还公开了一种包括上述功率检测电路的功率检测器。

技术领域

本发明涉及功率检测技术领域。更具体地，涉及一种硅基工艺的宽动态范围的功率检测电路及功率检测器。

背景技术

在射频系统中，功率检测器用于检测部同节点的功率的大小，从而对增益或者输出功率等进行调节。因此，功率检测器已被广泛应用于射频系统中。

传统的功率检测器，由于输入没有经过衰减，因此双极结型晶体管(BJT)Q1和BJT管Q2输出信号的大小与输入信号功率相关性很大，且BJT管Q1和BJT管Q2均工作在B区。这样，当输入信号稍大时，BJT管Q1和BJT管Q2很容易达到饱和，导致功率检测电路的动态范围偏小。

因此，需要提供一种宽动态范围的功率检测电路及功率检测器。

发明内容

为解决上述问题至少之一，本发明的一个目的在于提供一种宽动态范围的功率检测电路。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种功率检测电路，包括第一BJT管Q1、第二BJT管Q2、第三BJT管Q3、第四BJT管Q4、第五BJT管Q5、第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、低压电容C_low、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、低压电阻R_low、负载电阻R_load、第一电感TL1和第二电感TL2，其中

功率检测电路的第一输入端V_in+通过第一电容C1连接至第一电感TL1的第一端及第二电容C2的第一端，第一电感TL1的第二端接地，第二电容的第二端连接至第一BJT管Q1的基极，第一BJT管Q1的集电极连接至第一PMOS管M1的漏极，第一BJT管Q1的发射极连接至第五BJT管Q5的集电极；

功率检测电路的第二输入端V_in-通过第三电容C3连接至第二电感TL2的第一端及第四电容C4的第一端，第二电感TL2的第二端接地，第四电容的第二端连接至第二BJT管Q2的基极，第二BJT管Q2的集电极连接至第一PMOS管M1的漏极，第二BJT管Q2的发射极连接至第五BJT管Q5的集电极；

第四BJT管Q4的基极通过第一电阻R1连接至第一BJT管Q1的基极并通过第二电阻R2连接至第二BJT管Q2的基极，第四BJT管Q4的集电极连接至电源VDD，第四BJT管Q4的发射极连接至第五BJT管Q5的集电极；

第一PMOS管M1的栅极与漏极连接并通过低压电阻R_low连接至第二PMOS管M2的栅极，第一PMOS管M1的源极连接至电源VDD，第二PMOS管M2的源极连接至电源VDD，第二PMOS管M2的漏极连接至功率检测电路的输出端V_out，低压电容C_low的两端分别连接至第二PMOS管M2的栅极和源极；

第五BJT管Q5的基极通过第三电阻R3连接至偏置电压V_bias并通过第四电阻R4连接至第三BJT管Q3的基极，第五BJT管Q5的发射极接地；

第三BJT管Q3的集电极连接至功率检测电路的输出端V_out，第三BJT管Q3的发射极接地；及