[发明专利]硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

无机酸水溶液；以及

由下述化学式1表示的硅添加剂，

上述硅基板蚀刻溶液包含100ppm至10000ppm的上述硅添加剂，

化学式1：

在上述化学式1中，

Z由下述化学式2表示：

化学式2：

X₁及X₂分别独立地为氧或硫，

R₁至R₄分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、包含至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，

Y₁至Y₄分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、包含至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，

n为1至5之间的整数。

2.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述无机酸水溶液为包含选自硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、氢氟酸、硼酸、盐酸、高氯酸、磷酸酐、焦磷酸及多磷酸中的至少一种无机酸的水溶液。

3.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液蚀刻由氧化硅膜组成的单层膜或同时包含氧化硅膜及氮化硅膜的多层膜。

4.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

5.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含具有由有机阳离子与含氟阴离子离子键合的形态的含氟化合物。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过利用权利要求1至5中任一项所述的硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤。