[发明专利]硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

技术领域

本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用硅基板蚀刻溶液执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

背景技术

目前，蚀刻氮化硅膜及氧化硅膜的方法有多种，而干式蚀刻法及湿式蚀刻法为主要使用方法。

通常，干式蚀刻法作为利用气体的蚀刻法，具有各向同性优于湿式蚀刻法的优点，但是，由于干式蚀刻法的生产率远低于湿式蚀刻法且成本高，因此广泛使用湿式蚀刻法。

通常，湿式蚀刻法为将磷酸作为蚀刻溶液来使用的方法，这是众所周知的。在这种情况下，当为了氮化硅膜的蚀刻而仅使用纯磷酸时，随着器件变得精细，不仅蚀刻氮化硅膜，而且还蚀刻氧化硅膜，从而可发生各种缺陷及图案异常的问题，因此有必要进一步降低氧化硅膜的蚀刻速率。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供可通过增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来降低对氧化硅膜的蚀刻速率并提高氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。

并且，本发明的目的在于，提供可降低对氧化硅膜及氮化硅膜的蚀刻速率或者防止生成硅类颗粒的硅基板蚀刻溶液。

同时，本发明的目的在于，提供包括通过利用上述的硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

用于解决问题的方案

为了解决如上所述的技术问题，本发明的一实施方式提供包含无机酸水溶液及由下述化学式1表示的硅添加剂的硅基板蚀刻溶液。

化学式1：

在上述化学式1中，Z由下述化学式2表示：

化学式2：

X₁及X₂分别独立地为氧或硫。

R₁至R₄分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、包含至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑。

Y₁至Y₄分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、包含至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤代烷基、C₁-C₁₀氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑。

n为1至5之间的整数。