[发明专利]混合内存的数据迁移方法、系统及电子设备

说明书

本公开提供了一种混合内存的数据迁移方法。该方法用于内存控制器，混合内存包括非易失性存储器NVM和动态随机存储器DRAM，方法包括：当接收到访问非易失性存储器NVM的请求时，判断非易失性存储器NVM的第一模块的状态信息，其中，请求指向所述第一模块；当第一模块的状态信息为待迁移状态时，将请求对应的第一数据迁移至动态随机存储器DRAM的第二模块中，将第二模块中的数据迁移至第一模块中，其中，第一数据、第一模块以及第二模块的大小为一个cache块。本公开还提供了一种混合内存的数据迁移系统及电子设备。

技术领域

本公开涉及存储领域，具体地，涉及一种混合内存的数据迁移方法、系统及电子设备。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机内存系统的首要之选，其具有结构简单、集成度高、读写速度快、读写功耗低的优点。随着计算机体系结构技术的不断发展和集成电路工艺水平的不断提高，DRAM内存功耗已占系统总功耗的30％以上，其“功耗墙”问题亟待解决。此外，为了提高DRAM性能及集成度，需要在其单元面积不断减小的情况下，不断增加其存储电容的表面积，其“容量墙”的问题也日益突出。

非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)主要包括铁电随机存储器(FeRAM)、磁随机存储器(MRAM)、阻变随机存储器(RRAM)和相变随机存储器(PCM)等。与DRAM相比，NVM具有非易失、静态功耗极低、存储密度高的优点。但是NVM写功耗、写速度与DRAM相比存在一定差距，另外部分新型NVM写次数有限。相关技术中在DRAM与NVM混合内存系统中实现相应的迁移策略，减少对NVM的写操作。但是，混合内存数据迁移造成较大的时间开销，迁移过程会降低系统性能。

发明内容

有鉴于此，本公开提供了一种可以在高速缓冲存储器读写内存的过程中完成数据迁移、迁移粒度为一个cache块的混合内存的数据迁移方法、系统及电子设备。

本公开的一个方面，提供了一种混合内存的数据迁移方法。所述方法用于内存控制器，所述混合内存包括非易失性存储器NVM和动态随机存储器DRAM，方法包括：当接收到访问所述非易失性存储器NVM的请求时，判断所述非易失性存储器NVM的第一模块的状态信息，其中，所述请求指向所述第一模块；当所述第一模块的状态信息为待迁移状态时，将所述请求对应的第一数据迁移至所述动态随机存储器DRAM的第二模块中，将所述第二模块中的数据迁移至所述第一模块中，其中，所述第一数据、第一模块以及第二模块的大小为一个cache块。

根据本公开的实施例，当所述请求为读请求时，所述第一数据为所述第一模块中的数据，所述将所述请求对应的第一数据迁移至所述动态随机存储器DRAM的第二模块中，包括：获取所述第一模块中的数据；将所述第一模块中的数据发送到高速缓冲存储器中，其中，所述读请求由所述高速缓冲存储器生成；将所述第一模块中的数据写入所述第二模块中。

根据本公开的实施例，当所述请求为写请求时，所述方法还包括：接收所述写请求所请求写入的写数据，所述第一数据为所述写数据；所述将所述请求对应的第一数据迁移至所述动态随机存储器DRAM的第二模块中，包括：将所述写数据写入所述第二模块中。

根据本公开的实施例，所述方法还包括：记录所述非易失性存储器NVM每一行对应的预充次数；根据所述第一模块、非易失性存储器NVM的行缓存中存储的数据更新所述预充次数。

根据本公开的实施例，所述根据所述第一模块、非易失性存储器NVM的行缓存中存储的数据更新所述预充次数，包括：当所述非易失性存储器NVM的行缓存中存储的数据不包含所述第一模块时，对所述预充次数进行加一处理，否则，所述预充次数保持不变。

根据本公开的实施例，所述判断所述非易失性存储器NVM的第一模块的状态信息，包括：当所述更新后的预充次数等于预设阈值时，所述第一模块的状态信息为待迁移状态；当所述更新后的预充次数小于所述预设阈值时，所述第一模块的状态信息为读写状态。