[发明专利]芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件

权利要求书

1.一种芯片封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上制作开孔；

将所述芯片嵌埋至所述开孔内；

在所述基板的第一表面上，制作用于对所述芯片进行散热的第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔；

在所述基板的第二表面上，制作至少一个布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板的第一表面上，制作第一金属层和第二金属层，包括：

在所述基板的第一表面上溅射所述第一金属层；

在所述第一金属层上覆盖所述间隔层；

在所述间隔层上刻蚀出所述至少一个通孔；

在具有所述至少一个通孔的所述间隔层上溅射所述第二金属层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述至少一个通孔设置于所述间隔层中位于所述芯片上方的部分。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层覆盖所述基板和所述芯片的表面。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层的材料为铜。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述间隔层为味之素复合膜ABF层。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述第二金属层的表面，进行表面处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述第二金属层的表面，进行表面处理，包括：

采用有机可焊性抗氧化处理OSP方式，对所述第二金属层的表面进行表面处理。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并进行表面处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并进行表面处理，包括：

在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并采用化学镀镍钯浸金技术ENEPIG进行表面处理。

11.一种芯片，其特征在于，所述芯片基于上述权利要求1至10中任一项所述的方法进行封装。

12.根据权利要求11所述的芯片，其特征在于，封装后的所述芯片为算力芯片，具有相同结构的多个所述算力芯片设置于同一电路板上。

13.一种芯片封装组件，其特征在于，包括：

基板；

芯片，嵌埋在所述基板的开孔内；

金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热，其中，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔；以及，

至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。

14.根据权利要求13所述的芯片封装组件，其特征在于，所述至少一个通孔设置于所述间隔层中位于所述芯片上方的部分。

15.根据权利要求13或14所述的芯片封装组件，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层覆盖所述基板和所述芯片的表面。

16.根据权利要求13或14所述的芯片封装组件，其特征在于，所述第一金属层和/或所述第二金属层的材料为铜。