[发明专利]芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件

说明书

本申请提供一种芯片封装的方法，在利用金属层实现对芯片散热的同时，可以防止该金属层发生翘曲。该方法包括：在基板上制作开孔；将所述芯片嵌埋至所述开孔内；在所述基板的第一表面上，制作用于对所述芯片进行散热的第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔；在所述基板的第二表面上，制作至少一个布线层。

技术领域

本申请实施例涉及芯片技术领域，并且更具体地，涉及一种芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件。

背景技术

高密度集成的芯片在运行时所产生的热量会大幅增加，若不及时排除，将会导致芯片封装组件过热而威胁芯片寿命。可以在芯片背面制作金属层 (BacksideMetallization，BSM)对芯片进行散热。但是，由于芯片封装组件的上下两侧的应力不均衡，可能会造成该金属层的翘曲。

发明内容

本申请实施例提供一种芯片封装的方法、芯片和芯片封装组件，在利用金属层实现对芯片散热的同时，可以防止该金属层发生翘曲。

第一方面，提供了一种芯片封装的方法，包括：在基板上制作开孔；将所述芯片嵌埋至所述开孔内；在所述基板的第一表面上，制作用于对所述芯片进行散热的第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔；在所述基板的第二表面上，制作至少一个布线层。

在一种可能的实现方式中，所述在所述基板的第一表面上，制作第一金属层和第二金属层，包括：在所述基板的第一表面上溅射所述第一金属层；在所述第一金属层上覆盖所述间隔层；在所述间隔层上刻蚀出所述至少一个通孔；在具有所述至少一个通孔的所述间隔层上溅射所述第二金属层。

在一种可能的实现方式中，所述至少一个通孔设置于所述间隔层中位于所述芯片上方的部分。

在一种可能的实现方式中，所述第一金属层和所述第二金属层覆盖所述基板和所述芯片的表面。

在一种可能的实现方式中，所述第一金属层和/或所述第二金属层的材料为铜。

在一种可能的实现方式中，所述间隔层为ABF层。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：对所述第二金属层的表面，进行表面处理。

在一种可能的实现方式中，所述对所述第二金属层的表面，进行表面处理，包括：采用OSP方式，对所述第二金属层的表面进行表面处理。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并进行表面处理。

在一种可能的实现方式中，所述在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并进行表面处理，包括：在所述至少一个布线层的表面，制作焊接掩膜，并采用ENEPIG技术进行表面处理。

在一种可能的实现方式中，所述多个芯片为具有相同结构的算力芯片，所述多个芯片设置于同一电路板上。

第二方面，提供了一种芯片，所述芯片基于第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法进行封装。

在一种可能的实现方式中，封装后的所述芯片为算力芯片，具有相同结构的多个所述算力芯片设置于同一电路板上。

第三方面，提供了一种芯片封装组件，包括：基板；芯片，嵌埋在所述基板的开孔内；金属层，制作于所述基板的第一表面，用于对所述芯片进行散热，其中，所述金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有间隔层，所述间隔层中设置有至少一个通孔，所述第二金属层覆盖所述间隔层且填充所述至少一个通孔；至少一个布线层，制作于所述基板的第二表面。