[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶显示面板、显示装置在审
申请号: | 201911053760.8 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110764329A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 陈鹏;赵剑;毛大龙;刘子正;王志贤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G09G3/36;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 公共电极线 数据线 栅线 薄膜晶体管 像素电极 亚像素区域 阵列基板 电连接 衬底 漏极 条栅 源极 数据线电连接 液晶显示面板 寄生电容 显示装置 同材料 源图案 交叠 同层 绝缘 制备 半导体 平行 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板、显示装置,能够避免在栅线和数据线交叠而产生较大的寄生电容的问题。阵列基板包括:衬底,设置于衬底上的多条栅线、多条数据线以及多条公共电极线;栅线和数据线平行,公共电极线与栅线交叉;多条公共电极线之间相互绝缘;多条栅线和/或多条数据线,与多条公共电极线限定出多个亚像素区域,亚像素区域设置有至少一个薄膜晶体管以及像素电极;像素电极与公共电极线同层同材料;薄膜晶体管包括栅极、半导体有源图案、源极和漏极;薄膜晶体管的源极与数据线电连接,漏极与像素电极电连接,栅极与栅线电连接。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有重量轻,厚度薄,功耗低,性能稳定,价格相对较低等特点,在当前平板显示领域占据主导市场。目前液晶显示器尺寸不断向大尺寸方向发展,随着面板尺寸的增大,对显示面板良率的要求越来越高。
目前,在薄膜晶体管液晶显示装置中,通常采用栅线和数据线交叉设置限定出多个亚像素区域。但是这种栅线和数据线的设置方式,沿显示装置厚度的方向,两者会产生交叠,在该交叠的区域,容易产生较大的寄生电容,增加显示装置发生闪烁等显示不良情况的几率,影响显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板、显示装置,能够避免在栅线和数据线交叠而产生较大的寄生电容的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明提供一种阵列基板,包括:衬底,设置于所述衬底上的多条栅线、多条数据线以及多条公共电极线;所述栅线和所述数据线平行,所述公共电极线与所述栅线交叉;多条所述公共电极线之间相互绝缘。
多条所述栅线和/或多条所述数据线,与多条所述公共电极线限定出多个亚像素区域,所述亚像素区域设置有至少一个薄膜晶体管以及像素电极;所述像素电极与所述公共电极线同层同材料。
所述薄膜晶体管包括栅极、半导体有源图案、源极和漏极;所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,漏极与所述像素电极电连接,栅极与所述栅线电连接。
可选的,所述栅极设置于所述半导体有源图案靠近所述衬底一侧,作为底栅极。
所述薄膜晶体管还包括设置于所述源极和所述漏极远离所述衬底的一侧的顶栅极;所述顶栅极与所述底栅极电连接。
可选的,所述栅线充当所述薄膜晶体管的所述顶栅极。
可选的,沿所述衬底的厚度方向,所述薄膜晶体管中,所述底栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述半导体有源图案在所述衬底上的正投影。
所述栅线在所述衬底上的正投影,覆盖与该栅线连接的所述薄膜晶体管中所述半导体有源图案在所述衬底上的正投影。
可选的,所述薄膜晶体管的沟道呈U形。
可选的,所述亚像素区域还设置有公共电极。
每根所述公共电极线与沿其延伸方向排布的一排所述亚像素区域中所述公共电极电连接。
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