[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基底上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形；

所述显示基板中的所述第一晶体管的输出电极与所述补偿阴极图形同层同材料设置；

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中，除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域；

同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，刻蚀至同层设置的所述第一晶体管的输出电极及所述补偿阴极图形截止，形成能够将所述输出电极背向所述基底的表面至少部分暴露的第一过孔，以及能够将所述补偿阴极图形背向所述基底的表面至少部分暴露的第二过孔。

2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第一平坦材料形成所述平坦层；

采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层被刻蚀的第二速率之间的差值小于或等于第一阈值；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第一距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于第二阈值。

3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：

采用第二平坦材料形成所述平坦层；

采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层被刻蚀的第四速率；

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：

通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第三距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。

4.根据权利要求2或3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度大于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离；

所述制作方法还包括：

在进行刻蚀工艺后，将位于所述光刻胶保留区域的剩余光刻胶去除。

5.根据权利要求2或3所述的显示基板的制作方法，其特征在于，制作所述光刻胶层和所述平坦层的步骤具体包括：

在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧制作所述平坦层；

在所述平坦层背向所述基底的表面制作在垂直于所述基底的方向上具有第一厚度的光刻胶层，所述第一厚度小于所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面之间的距离。