[发明专利]用于现场测试总线功能模块的热插拔系统及方法

权利要求书

1.一种用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：它包括控制器(1)和现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)，所述现场测试总线功能模块的热插拔单元(3)包括MCU(3.1)、输出电压监测模块(3.2)、MOSFET驱动模块(3.3)、输入电流监测模块(3.4)和MOSFET管(3.5)，控制器(1)用于通过现场测试总线(2)接通控制器(1)与MCU(3.1)之间的状态监测线v_sm，使控制器(1)与MCU(3.1)之间进行MCU(3.1)接入状态信息通信及MCU(3.1)身份识别；

控制器(1)还用于通过现场测试总线(2)向MOSFET驱动模块(3.3)输送MOSFET接通的控制信号；

MOSFET驱动模块(3.3)的源极电压输出端连接MOSFET管(3.5)的源极，MOSFET驱动模块(3.3)的栅极电压输出端连接MOSFET管(3.5)的栅极，MOSFET管(3.5)的漏极用于向现场测试总线功能模块(3.6)供电，输出电压监测模块(3.2)用于监测现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压，并将该供电电压反馈给MCU(3.1)，输入电流监测模块(3.4)用于检测通过现场测试总线(2)输入到MOSFET管(3.5)源极的输入电流，并将该输入电流反馈给MCU(3.1)；

所述MCU(3.1)用于将接收到的输入电流监测值v_OCP和现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS分别与MCU(3.1)内部存储的电压阈值和电流阈值进行比较，一旦出现输入电流监测值v_OCP过流和/或现场测试总线功能模块(3.6)的供电电压监测值v_OS欠压或过压，MCU(3.1)将把异常信息传送给控制器(1)，从而使控制器(1)发送MOSFET断开的MOSFET控制信号v_mosdrv，MOSFET驱动模块(3.3)接收到MOSFET断开信号，将配置相应的源极电压v_s和栅极电压v_g，使MOSFET管(3.5)关闭，断开对现场测试总线功能模块(3.6)的供电。

2.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MCU(3.1)的电源输入端连接上拉电阻R1的一端，上拉电阻R1的另一端连接在位检测电源，非自锁开关K1的一端连接上拉电阻R1的一端。

3.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：输入电流监测模块(3.4)通过采样电阻R_SNS监测MOSFET管(3.5)源极的输入电流。

4.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)的源极连接二极管D1的负极，MOSFET管(3.5)的漏极连接二极管D1的正极。

5.根据权利要求1所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述MOSFET管(3.5)为采用P沟道MOSFET管。

6.根据权利要求2所述的用于现场测试总线功能模块的热插拔系统，其特征在于：所述控制器(1)的热插拔单元在位检测接口v_sb2通过现场测试总线(2)连接非自锁开关K1的另一端，热插拔单元在位检测接口v_sb2还通过上拉电阻R2接入在位检测电源，非自锁开关K1的另一端还通过现场测试总线(2)接地GND，控制器模块的接地端也接地GND。