[发明专利]制造半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201911055942.9 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111199915A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;赖志明;曾健庭;林威呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于，该方法包括：
定义具有一第一金属图案间距(MX-1P)的一第一金属图案(MX-1)；
在该第一金属图案之上沉积一绝缘层；
定义具有多个基础位置的一基础栅格，所述多个基础位置具有一coreX间距(CoreXP)；
移除该绝缘层的部分以在所述多个基础位置的一预定部分中形成多个基础开口；以及
使用一定向蚀刻(DrE)蚀刻所述多个基础开口以形成扩展基础开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
