[发明专利]显示面板、显示装置和显示面板的制造方法有效
申请号: | 201911056736.X | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110752223B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 赖青俊;朱绎桦;袁永 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 冯伟 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层位于所述衬底基板一侧;
导电焊盘,所述导电焊盘位于所述衬底基板背离所述薄膜晶体管层一侧,所述导电焊盘通过过孔电连接至所述薄膜晶体管层;
所述衬底基板背离所述薄膜晶体管层一侧具有第一凹槽,所述导电焊盘位于所述第一凹槽内;
连接层,所述连接层位于所述第一凹槽内,所述连接层包裹所述导电焊盘,所述导电焊盘通过所述连接层固定于所述衬底基板。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电焊盘包括靠近所述薄膜晶体管层的第一表面和远离所述薄膜晶体管层的第二表面,所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面的粗糙度;
和/或,所述衬底基板包括靠近所述连接层的第三表面和远离所述连接层的第四表面,所述第三表面的粗糙度大于所述第四表面的粗糙度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接层包括氮化硅或者氧化硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板与所述薄膜晶体管层之间的金属垫层,所述薄膜晶体管层通过第一过孔与所述金属垫层电连接,所述金属垫层通过第二过孔与所述导电焊盘电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔与所述第二过孔在所述显示面板上的正投影不重叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述连接层的厚度大于或者等于1纳米并且小于或者等于1微米。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至6中任何一项所述的显示面板;
所述显示装置通过多个所述显示面板拼接形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,相邻所述显示面板中传输一种恒压驱动信号的所述导电焊盘通过导电银胶电连接。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供玻璃基板;
在所述玻璃基板上形成牺牲层;
在所述牺牲层远离所述玻璃基板一侧形成导电焊盘;
在所述导电焊盘远离所述玻璃基板一侧形成连接层;
在所述连接层远离所述玻璃基板一侧形成衬底基板;
在所述衬底基板远离所述玻璃基板一侧形成薄膜晶体管层;
去除所述玻璃基板和所述牺牲层;
其中,所述导电焊盘通过过孔电连接至所述薄膜晶体管层,所述衬底基板背离所述薄膜晶体管层一侧具有第一凹槽,所述导电焊盘、所述连接层、所述牺牲层位于所述第一凹槽内,所述连接层包裹所述导电焊盘,所述导电焊盘通过所述连接层固定于所述衬底基板;
所述连接层接触所述牺牲层,所述牺牲层接触所述玻璃基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述去除所述玻璃基板和所述牺牲层采用激光剥离工艺。
11.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在形成所述衬底基板之前,还包括对所述连接层和所述牺牲层进行图案化;
其中,所述连接层与所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影重叠;
所述连接层与所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述导电焊盘在所述衬底基板上的正投影。
12.根据权利要求9所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述牺牲层包括a-Si。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司,未经厦门天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911056736.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的