[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911056805.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129149A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 邹亚叡;罗宗祐;颜智洋;黄文宏;刘致为 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一基板；
一第一半导体层和一第二半导体层，该第一半导体层和该第二半导体层在该基板上方，该第一半导体层在一第一方向上位于该第二半导体层上方；
一栅极结构，该栅极结构围绕该第一半导体层和该第二半导体层；
一源极/漏极结构，该源极/漏极结构从不同于该第一方向的一第二方向连接到该第一半导体层；以及
一第一缓冲层，该第一缓冲层将该源极/漏极结构与该第二半导体层分隔。
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