[发明专利]直流微电阻测量方法及装置

权利要求书

1.一种直流微电阻测量方法，其特征在于，包括：

根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；

根据多个所述第一阻值和所述第一温度值按照预设算法确定所述待测电阻的温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法，所述正温度系数预设算法和所述负温度系数预设算法的参数中包含标准电阻的材料常数；

将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线；

获取多个所述预设温度变化曲线，将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合，则确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。

2.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线的步骤包括：

根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。

3.如权利要求2所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，R_n-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R_n-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_N为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

4.如权利要求2所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述正温度系数预设算法的公式如下：

R_T＝R₂₅exp B_P(T-298)

其中，R_T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R₂₅为所述标准电阻在25℃时的电阻值，B_P为正温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。

5.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述负温度系数预设算法的公式如下：

其中，r_n-T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r_n-25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_N1为负温度系数所述待测电阻的材料常数，T为待测温度；

所述正温度系数预设算法的公式如下：

r_T＝r₂₅exp B_P1(T-298)

其中，r_T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r₂₅为所述待测电阻在25℃时的电阻值，B_P1为正温度系数所述待测电阻的材料常数。