[发明专利]氮化镓设备的封装结构在审

专利信息
申请号: 201911057318.2 申请日: 2019-11-01
公开(公告)号: CN111244061A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: S·圣日尔曼;R·阿巴斯诺特;D·比林斯;A·塞拉亚 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/07;H01L21/48;H01L21/56
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 周阳君
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氮化 设备 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

衬底,所述衬底包括第一侧上的一条或多条迹线和所述衬底的第二侧上的一条或多条迹线,其中所述衬底为刚性的;

至少一个管芯,所述至少一个管芯以机械的方式和电的方式耦接到所述衬底的所述第一侧,其中所述管芯为高压管芯;

一条或多条迹线,所述一条或多条迹线沿所述衬底的一个或多个边缘;和

模塑料,所述模塑料包封所述衬底的至少所述第一侧和所述衬底的所述一个或多个边缘;

其中沿所述衬底的所述一个或多个边缘的所述一条或多条迹线在所述衬底的所述第一侧上的所述一条或多条迹线与在所述衬底的所述第二侧上的所述一条或多条迹线之间提供电连接。

2.根据权利要求1所述的设备,还包括将所述一个或多个管芯电耦接到所述衬底的夹具或两个或更多个焊线中的一者。

3.根据权利要求1所述的设备,还包括耦接到所述陶瓷衬底的所述第一侧或所述第二侧中的一者的一个或多个铜柱。

4.一种半导体封装件,包括:

陶瓷衬底,所述陶瓷衬底包括第一侧上的一条或多条迹线和所述刚性陶瓷衬底的第二侧上的一条或多条迹线,其中所述陶瓷衬底为电绝缘的;

至少一个高压管芯,所述至少一个高压管芯以机械的方式和电的方式耦接到所述陶瓷衬底的所述第一侧;

一条或多条迹线,所述一条或多条迹线从所述陶瓷衬底的所述第一侧延伸到所述第二侧;和

模塑料,所述模塑料包封至少所述第一侧和所述陶瓷衬底的所述一个或多个边缘;

其中所述一条或多条迹线在所述陶瓷衬底的所述第一侧上的所述一条或多条迹线与在所述陶瓷衬底的所述第二侧上的所述一条或多条迹线之间提供所述电连接。

5.根据权利要求4所述的设备,还包括耦接到所述衬底的所述第一侧或所述第二侧中的一者的一个或多个铜柱。

6.一种用于形成半导体设备的方法,所述方法包括:

提供两个或更多个电绝缘衬底,所述衬底各自具有第一侧和第二侧以及穿过所述第一侧和所述第二侧的多个开口;

从所述两个或更多个电绝缘衬底的第一侧到所述两个或更多个电绝缘衬底的所述第二侧,形成通过所述多个开口的一条或多条迹线;

在所述两个或更多个电绝缘衬底的所述第一侧和所述第二侧中的每一个上形成一条或多条迹线;

在所述多个开口处切割所述两个或更多个电绝缘衬底;

将一个或多个管芯耦接到所述两个或更多个电绝缘衬底中的每一个的所述第一侧;和

包封所述一个或多个管芯以及所述两个或更多个电绝缘衬底中的每一个;

其中所述衬底为刚性的;和

其中所述一个或多个管芯为高压管芯。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述电绝缘衬底的所述第二侧上的所述一条或多条迹线为暴露的。

8.根据权利要求6所述的方法,其中所述一条或多条迹线沿所述两个或更多个电绝缘衬底中的每一个的一个或多个边缘形成。

9.根据权利要求6所述的方法,还包括在所述电绝缘衬底的平坦表面中形成一个或多个通孔。

10.根据权利要求6所述的方法,还包括将一个或多个夹具或两个或更多个焊线中的一者耦接到所述一个或多个管芯和所述一条或多条迹线。

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