[发明专利]氮化镓设备的封装结构

说明书

本发明题为“氮化镓设备的封装结构”。本发明提供了一种半导体封装件的实施方式。该半导体封装件的实施方式可包括：衬底，该衬底具有第一侧上的一条或多条迹线以及第二侧上的一条或多条迹线。衬底可以是刚性的。封装件，该封装件可包括以机械的方式和电的方式耦接到衬底的第一侧的至少一个管芯。管芯可以是高压管芯。封装件可包括沿衬底的一个或多个边缘的一条或多条迹线。沿衬底的一个或多个边缘的一条或多条迹线提供衬底第一侧上的一条或多条迹线与衬底第二侧上的一条或多条迹线之间的电连接。封装件还可包括模塑料，模塑料包封至少第一侧和该陶瓷衬底的一个或多个边缘。

背景技术

1.技术领域

本文件的各方面整体涉及半导体封装件，诸如电子设备的功率模块。更具体的实施方式涉及单管芯模块和多管芯模块，诸如开关。

2.背景技术

具有高压管芯的功率模块包括引线框架或印刷电路板衬底。已知高压管芯由于较大的电压和快速的切换速度而产生大量的热量。管芯可通过夹具和焊线电耦接到功率和信号。

发明内容

半导体封装件的实施方式可包括：衬底，该衬底具有第一侧上的一条或多条迹线以及衬底的第二侧上的一条或多条迹线。衬底可以是刚性的。封装件可包括以机械的方式和电的方式耦接到衬底的第一侧的至少一个管芯。管芯可以是高压管芯。封装件可包括沿衬底的一个或多个边缘的一条或多条迹线。沿衬底的一个或多个边缘的一条或多条迹线在衬底的第一侧上的一条或多条迹线与在衬底的第二侧上的一条或多条迹线之间提供电连接。封装件还可包括模塑料，模塑料包封至少所述第一侧和衬底的一个或多个边缘。

半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

衬底可以是陶瓷的，并且陶瓷可以是氮化铝、氧化铝或它们的任何组合。

衬底可为直接接合铜衬底。

管芯可包括氮化镓。

封装件还可包括将所述一个或多个管芯电耦接到所述衬底的夹具或两个或更多个焊线中的一者。

夹具可包括3密耳至20密耳的厚度。

封装件还可包括耦接到衬底的所述第一侧或第二侧的一个或多个铜柱。

半导体封装件的实施方式可包括：陶瓷衬底，该陶瓷衬底包括第一侧上的一条或多条迹线以及陶瓷衬底的第二侧上的一条或多条迹线。陶瓷衬底可以是电绝缘的。封装件还可包括以机械的方式和电的方式耦接到陶瓷衬底的第一侧的至少一个管芯。至少一个管芯可为高压管芯。封装件还可包括一条或多条迹线，一条或多条迹线从陶瓷衬底的第一侧延伸到第二侧。封装件还可包括模塑料，模塑料包封至少第一侧和陶瓷衬底的一个或多个边缘。封装件中的一条或多条迹线在陶瓷衬底的第一侧上的一条或多条迹线与在陶瓷衬底的第二侧上的一条或多条迹线之间提供电连接。

半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

衬底可以是陶瓷的，并且可包括氮化铝、氧化铝或它们的任何组合。

管芯可包括氮化镓。

封装件还可包括将所述一个或多个管芯电耦接到衬底的夹具或两个或更多个焊线中的一者。

夹具可包括3密耳至20密耳的厚度。

封装件还可包括耦接到陶瓷衬底的所述第一侧或所述第二侧的一个或多个铜柱。