[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201911058339.6 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN111146248A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 金泰坤;李晟熏;金志桓;田信爱;郑得锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星显示有限公司;三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括
光源,包括
第一电极,具有大于或等于60%的针对第一光的光反射率,
有机发光层,设置在所述第一电极上并且发射所述第一光,和
第二电极,设置在所述有机发光层上并且具有大于或等于70%的在可见波长区域中的光透射率,
其中,相对于55度至85度的视角,所述光源在650nm至750nm的波长区域中具有第一吸收峰或者在550nm至600nm的波长区域中具有第二吸收峰;以及
滤色器层,设置在所述光源上,并且包括用于将所述第一光转换成第二光的量子点。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述光源在大于0度且小于或等于40度的视角下呈现出小于或等于20%的辐射减少率。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二光的中心波长小于所述第一吸收峰的中心波长。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述光源相对于所述第二光的有效吸收率小于或等于20%。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二光的中心波长小于所述第二吸收峰的中心波长。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述滤色器层还包括用于将所述第一光转换成不同于所述第二光的第三光的量子点,
所述第二光的中心波长小于所述第一吸收峰的中心波长,以及
所述第三光的中心波长小于所述第二吸收峰的中心波长。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一光具有在440nm至550nm的波长区域中的中心波长。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一电极包括银(Ag)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、钛(Ti)、铟锡氧化物(ITO)或其组合。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述滤色器层还包括光散射材料。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中
第一像素区至第三像素区分别被限定在所述有机发光层中,以及
所述第一像素区至所述第三像素区中的每个发射所述第一光。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中
第一像素区至第三像素区分别被限定在所述有机发光层中,以及
所述滤色器层包括分别形成在与所述第一像素区至所述第三像素区重叠的位置处的第一滤色器至第三滤色器。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中所述第二滤色器包括将所述第一光转换成所述第二光的所述量子点,以及
所述第三滤色器包括将所述第一光转换成不同于所述第二光的第三光的量子点。
14.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述显示设备还包括光聚焦层,所述光聚焦层设置在所述第二电极和所述滤色器层之间,并且将从所述有机发光层发射的所述第一光聚焦到所述滤色器层中。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中所述光聚焦层包括凸透镜、微棱镜、平面透镜、菲涅耳透镜、超材料或其组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的