[发明专利]显示设备在审
申请号: | 201911058339.6 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN111146248A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 金泰坤;李晟熏;金志桓;田信爱;郑得锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星显示有限公司;三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
公开了一种显示设备,其包括光源和滤色器层,光源包括:第一电极,具有大于或等于约60%的对于第一光的光反射率;有机发光层,设置在第一电极上并发射第一光;以及第二电极,设置在有机发光层上并具有大于或等于约70%的在可见波长区域中的光透射率,其中,相对于约55度至约85度的视角,光源在约650nm至约750nm的波长区域中具有第一吸收峰或在约550nm至约600nm的波长区域中具有第二吸收峰,滤色器层设置在光源上并包括用于将第一光转换成第二光的量子点。
技术领域
公开了能够显示图像的显示设备。
背景技术
作为显示设备的液晶显示器、等离子体显示设备、有机发光显示器等目前可在市场上买到,并且其可以通过提供发射红光、绿光、蓝光和/或白光中的每种并单独发射光的像素、或者使光源发射的光穿过滤色器以表现与像素对应的颜色而被驱动。
在它们之中,在具有单独发射系统的显示设备的情况下,尽管其趋于具有足以提供优异图像质量的高的颜色纯度,但是因为每个像素用具有彼此不同的材料和特性的构件形成,所以其具有巨大的工艺难度,从而难以大尺度地形成。
另一方面,在使来自光源的光穿过滤色器的显示设备的情况下,尽管其相比于前一种情况容易在更大的面积上制造,但是光被滤色器吸收,因此所发射的光的能量损失是不可避免的,并且因为最终的所发射的光具有稍微宽的半峰全宽(FWHM),所以担心使亮度和颜色纯度劣化。
发明内容
实施方式提供了使所发射的光的能量损失最小化并提供高的光效率、颜色纯度和颜色再现性的显示设备。
根据一实施方式,一种显示设备包括光源和滤色器层,光源包括:第一电极,具有大于或等于约60%的对于第一光的光反射率;有机发光层,设置在第一电极上并发射第一光;以及第二电极,设置在有机发光层上并具有大于或等于约70%的在可见波长区域中的光透射率,其中,相对于约55度至约85度的视角,光源在约650nm至约750nm的波长区域中具有第一吸收峰或在约550nm至约600nm的波长区域中具有第二吸收峰,滤色器层设置在光源上并包括用于将第一光转换成第二光的量子点。
光源可以在大于约0度且小于或等于约40度的视角下呈现出小于或等于约20%的辐射减少率。
第二光的中心波长可以小于第一吸收峰的中心波长。
光源相对于第二光的有效吸收率可以小于或等于约20%。
第二光的中心波长可以小于第二吸收峰的中心波长。
滤色器层还包括用于将第一光转换成不同于第二光的第三光的量子点,第二光的中心波长小于第一吸收峰的中心波长,第三光的中心波长小于第二吸收峰的中心波长。
第一光可以具有在约440nm至约550nm的波长区域中的中心波长。
第一电极可以包括银(Ag)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、钛(Ti)、铟锡氧化物(ITO)或其组合。
量子点可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。
滤色器层还可以包括光散射材料。
第一至第三像素区可以分别被限定在有机发光层中,第一至第三像素区可以发射第一光。
第一至第三像素区可以分别被限定在有机发光层中,滤色器层可以包括在与第一至第三像素区重叠的每个位置处的第一至第三滤色器。
第二滤色器可以包括用于将第一光转换成第二光的量子点,第三滤色器可以包括用于将第一光转换成不同于第二光的第三光的量子点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的