[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

基片支承台，其具有下部电极，设置于所述腔室内；

高频电源，其构成为为了在所述腔室内由气体生成等离子体而供给高频电力；和

电源单元，其与所述下部电极电连接，构成为能够产生正极性的直流电压和负极性的直流电压，

所述电源单元构成为：

能够在所述腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中的第一期间中，停止对所述下部电极施加直流电压，

能够在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第一期间之后的第二期间中，将作为正极性的直流电压的第一直流电压施加到所述下部电极，

能够为了对载置于所述基片载置台上的基片进行蚀刻，在所述腔室内由所述蚀刻气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第二期间之后的第三期间中，将作为负极性的直流电压的第二直流电压施加到所述下部电极，

所述电源单元输出的直流电压从所述第二期间中的所述第一直流电压被连续地切换为所述第三期间中的所述第二直流电压。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一直流电压的绝对值比所述第二直流电压的绝对值小。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三期间的时长为所述第一期间的时长与所述第二期间的时长之和以下。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三期间的时长为10μ秒以下。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二期间的时长为所述第一期间的时长以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电源单元构成为能够反复进行在所述第一期间中停止对所述下部电极施加直流电压的动作、在所述第二期间中对所述下部电极施加所述第一直流电压的动作和在所述第三期间中对所述下部电极施加所述第二直流电压的动作。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电源单元还构成为：

能够在所述腔室内由清洁气体生成等离子体的生成过程中的第四期间中，将作为负极性的直流电压的第三直流电压施加到所述下部电极，

能够在所述腔室内由所述清洁气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第四期间之后的第五期间中，再次停止对所述下部电极施加直流电压，

能够在所述腔室内由所述清洁气体生成所述等离子体的生成过程中且所述第五期间之后的第六期间中，将作为正极性的直流电压的第四直流电压施加到所述下部电极，

所述第四期间的时长比所述第五期间的时长与所述第六期间的时长之和长。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第四期间的时长比所述第三期间的时长长。

9.如权利要求7或8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电源单元构成为能够反复进行在所述第四期间中对所述下部电极施加所述第三直流电压的动作、在所述第五期间中停止对所述下部电极施加直流电压的动作和在所述第六期间中对所述下部电极施加所述第四直流电压的动作。