[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

说明书

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

技术领域

本发明中的例示的实施方式涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术

等离子体处理装置在对基片的等离子体蚀刻中使用。等离子体处理装置具有腔室和基片支承台。基片支承台具有下部电极，设置于腔室内。在实施等离子体蚀刻时，基片被载置在基片支承台上。并且，在腔室内由气体生成等离子体。基片被来自等离子体的正离子蚀刻。其结果是，在基片形成开口。

当进行基于正离子的基片的蚀刻时，基片带电。在基片带电的状态下，向开口的内部供给的正离子的供给量减少。其结果是，可能降低蚀刻速率。或者，在基片带电的状态下，在基片形成的开口的形状可能发生异常。

为了减少基片的正电荷量，在专利文献1记载的技术中，从电源对下部电极施加正极性的直流电压。接着，停止对下部电极施加直流电压。接着，从电源对下部电极施加负极性的直流电压。其结果是，正离子被引入到基片而进行蚀刻。过一会儿之后，停止对下部电极施加直流电压。在专利文献1所记载的技术中，反复进行对下部电极施加正极性的直流电压的动作、停止对下部电极施加直流电压的动作、对下部电极施加负极性的直流电压的动作和停止对下部电极施加直流电压的动作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-79886号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

等离子体蚀刻中，谋求使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

用于解决技术问题的技术方案

在一个例示的实施方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承台、高频电源和电源单元。基片支承台具有下部电极，设置于腔室内。高频电源构成为为了在腔室内由气体生成等离子体而供给高频电力。电源单元构成为能够产生正极性的直流电压和负极性的直流电压。电源单元与下部电极电连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中的第一期间中，电源单元停止对下部电极施加直流电压。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中且第一期间之后的第二期间中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中且第二期间之后的第三期间中，电源单元将第二直流电压到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第二期间中的第一直流电压被连续地切换为第三期间中的第二直流电压。

发明效果

依照一个例示的实施方式，能够实现使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。

附图说明

图1是概略地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是表示一个例示的实施方式的等离子体处理方法的流程图。

图3是表示图2所示的等离子体处理方法中的电源单元的输出电压的一例的时序图。

附图标记的说明

1……等离子体处理装置，10……腔室，16……支承台，18……下部电极，61……高频电源，64……电源单元。