[发明专利]一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物

权利要求书

1.一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1:将衬底基板通过超声清洗、烘干，得到预处理的衬底基板；

S2：将经预处理的衬底基板放入到反应腔内，抽真空，通入氮气或惰性气体至微正压；

S3：在500-700℃下，同时通入前驱体Ⅰ和前驱体Ⅱ，所述硅烷的流量为10~80sccm，所述氧气的流量为20~80sccm，在衬底基板上沉积形成低折射率L层；

S4：停止通入前驱体Ⅰ和前驱体Ⅱ，用氮气或惰性气体吹扫反应腔；

S5：在600~800℃条件下，通入原料气体前驱体Ⅲ和前驱体Ⅳ，所述前驱体Ⅲ的流量为20-90sccm，所述前驱体Ⅳ的流量为20-60sccm，在低折射率L层上沉积高折射率H层；

S6：停止通入原料气体前驱体Ⅲ和前驱体Ⅳ，用氮气或惰性气体吹扫反应腔；

S7：冷却至室温，得到具有不同折射率镀膜的光学元件；所述高折射率H层的折射率>所述低折射率L层的折射率。

2.根据权利要求1所述的减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，还包括周期性重复的步骤S3~S4和/或S5~S6。

3.根据权利要求2所述的减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，所述光学元件的镀膜组合包括以下几种：SiO₂低折射率L层与TiO₂高折射率H层；SiO₂低折射率L层与Nb₂O₅高折射率H层；SiO₂低折射率L层+Ta₃O₅高折射率H层；MgF₂低折射率L层与TiO₂高折射率H层；MgF₂低折射率L层与Nb₂O₅高折射率H层；Nb2O5低折射率L层与Ta₃O₅高折射率H层；MgF₂低折射率L层、Al₂O₃高折射率H层与SiO₂低折射率L层；Al₂O₃低折射率L层、H4高折射率H层与MgF₂低折射率L层；Al₂O₃低折射率L层、ZrO₂高折射率H层与MgF₂低折射率L层。

4.根据权利要求3所述的减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，在双组份材料膜结构中，所述高折射率H层的折射率与所述低折射率L层的折射率之差≥0.5。

5.根据权利要求1所述的减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，所述衬底基板为玻璃、水晶或者蓝宝石基板。

6.根据权利要求3所述的减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，其特征在于，所述前驱体Ⅰ为SiH₄、SiHCl₃、SiCl₂H₂ 、SiCl₄、Al(CH₃)₃，Cp₂Mg中的一种，所述前驱体Ⅱ为O₂、O₃、CO₂、CO、NO₂、NO、H₂O、F₂中的一种或几种，所述前驱体Ⅲ为TiH₄、TiCl₄、NbCl₅、TaCl₅、ZrCl₄中的一种，所述前驱体Ⅳ为为O₂、O₃、CO₂、CO、NO₂、NO、H₂O、F₂中的一种或几种。