[发明专利]一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物

说明书

本发明提供了一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物，通过可以一次性实现光学元件多层高、低折射率膜层的交替沉积，反应物料以气相形式在反应腔反应沉积到衬底基板上，不存在蒸发或者溅射过程，消除了点子缺陷的来源，因此不会形成大颗粒的点子缺陷，从而大大提高了摄像模组的成像品质，使得CVD在摄像模组的加工过程得到了具有实际性操作意义的应用。

技术领域

本发明涉及摄像模组技术领域，尤其涉及一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物。

背景技术

随着智能终端、车载、扫描仪、智能手机、投影仪、安防监控等产业对高清摄像要求的不断提高,以及增强现实、3D技术和手势识别技术在人工智能领域的广泛应用,光学镜头及摄像模组产业在高速发展的同时也不断进行技术的创新迭代，以满足新的应用要求。

点子是出现在光学镜头及摄像模组中的一种不良缺陷，指的是在基片表面形成的点状突起，有时也称之为颗粒（particle）。点子主要是在当前的光学镀膜工艺（即真空热蒸发和磁控溅射）中，不可避免地会出现大颗粒膜料点随着膜料蒸蒸气或者溅射粒子一起沉积到基片的表面而形成的。有时是个别点，严重时是成片的细点，大颗粒点甚至可以打伤基片表面，且会严重地影响成像效果。因此，为了保证成像效果，当前大部分厂家都要求光学元件中的点子不得超过5μm的点子。

然而，目前几乎所有的光学元件表面都要镀制各种各样的薄膜以实现特定的光学性能，即在光学零件表面上镀上一层或多层金属或介质薄膜的工艺过程，以达到减少或增加光的反射、分束、分色、滤光、偏振等要求；而光学镀膜工艺主要采用的是真空热蒸发（蒸镀）和磁控溅射，尚没有能够控制或者减少点子的有效手段。

真空热蒸发是在真空条件下，加热蒸发物质使之气化并沉积在基片表面形成固体薄膜，其过程如下：（1）采用各种形式的热能转换方式（如电阻加热、电子加热、高频感应加热、电弧加热、激光加热等），使镀膜材料粒子蒸发或升华，成为具有一定能量的气态粒子；（2）气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到基体；（3）粒子沉积在基体表面上并凝聚成薄膜；（4）组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化。由于加热和凝聚过程无法做到绝对均匀，因此无可避免地会出现大液滴或者大颗粒，因此光学镀膜中的点子缺陷无法有效控制，极有可能出现粒径超过5μm的点子，这是当前影响合格率的重要因素。

磁控溅射是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术，其过程如下：（1）电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子;（2）新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射；（3）在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。同样的，在轰击靶材的过程中，极有可能产生大颗粒，进而沉积在基片上形成点子，也无法有效控制。

因此，在光学镜头及摄像模组的工业化生产中，缺乏控制点子缺陷的产生和数量的有效控制途径，降低了产品的合格率，增加了生产成本，需要开发更优化的生产工艺。

发明内容

本发明的目的之一在于针对现有技术的不足，提供一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法，能够从根本上解决点子的生成途径，不产生粒径在微米级别的点子缺陷。

本发明的目的之二在于提供利用上述制备方法得到的产物，极大地减少由于点子缺陷引起的不良。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案之一如下：

S1:将衬底基板通过超声清洗、烘干，得到预处理的衬底基板；

S2：将经预处理的衬底基板放入到反应腔内，抽真空，通入氮气或惰性气体至微正压；

S3：在500-700℃下，同时通入前驱体Ⅰ和前驱体Ⅱ，所述硅烷的流量为10~80sccm，所述氧气的流量为20~80sccm，在衬底基板上沉积形成低折射率L层；