[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201911060409.1 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111146134A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;町山弥;南雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板载置台,当在处理容器内处理基板时该基板载置台载置所述基板并对其进行调温,其中,
所述基板载置台具有:
金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及
金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,
各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,
具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
2.根据权利要求1所述的基板载置台,其中,
所述第1板由铝或铝合金形成,
所述第2板由不锈钢形成。
3.根据权利要求2所述的基板载置台,其中,
所述第2板由奥氏体类不锈钢形成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板载置台,其中,
所述多个调温区域之间在所述间隙的上下连续。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板载置台,其中,
在任一所述调温区域电连接有电源。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板载置台,其中,
所述调温部具有加热器和供调温介质流通的调温介质流路中的至少任一者。
7.一种基板处理装置,该基板处理装置具有:处理容器、在所述处理容器内载置基板并对其进行调温的基板载置台、以及所述基板载置台的调温源,其中,
所述基板载置台具有:
金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及
金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,
各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,
具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
所述第1板由铝或铝合金形成,
所述第2板由不锈钢形成。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,
所述第2板由奥氏体类不锈钢形成。
10.根据权利要求7~9中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述多个调温区域之间在所述间隙的上下连续。
11.根据权利要求7~10中任一项所述的基板处理装置,其中,
在任一所述调温区域电连接有电源。
12.根据权利要求7~11中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述调温部具有加热器和供调温介质流通的调温介质流路中的至少任一者,
与所述加热器相对应的所述调温源为加热器电源,与所述调温介质流路相对应的所述调温源为冷却器。
13.根据权利要求7~12中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有控制部,
所述控制部对于所述调温源执行使各个所述调温区域所具有的所述调温部以固有的温度进行调温的处理。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其中,
所述基板载置台具有俯视呈矩形的外形,
所述调温区域具有矩形框状的外侧调温区域和在所述外侧调温区域的内侧隔着所述间隙配设的俯视呈矩形的内侧调温区域,
所述外侧调温区域和所述内侧调温区域均内置有调温介质流路,
所述控制部对于所述调温源执行使比在所述外侧调温区域的所述调温介质流路中流通的调温介质相对高温的调温介质在所述内侧调温区域的所述调温介质流路中流通的控制。
15.一种基板处理方法,该基板处理方法使用了基板处理装置,该基板处理装置具有:处理容器、在所述处理容器内载置基板并对其进行调温的基板载置台、以及所述基板载置台的调温源,其中,
所述基板载置台具有:
金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域,以及
金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,
各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,
具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面,
在各个所述调温区域一边进行固有的调温一边进行基板处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造