[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 201911060409.1 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111146134A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;町山弥;南雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明提供在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台,当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温,其中,所述基板载置台具有:金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
技术领域
本公开涉及基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
专利文献1中公开有一种基板载置台,该基板载置台具有金属制的基材和用于吸附基板的静电卡盘,基材的至少与静电卡盘接触的部分由马氏体类不锈钢或铁素体类不锈钢构成。根据专利文献1中公开的基板载置台和包括该基板载置台的基板处理装置,能够防止由基材与静电卡盘之间的热膨胀差引起的静电卡盘的破损。
专利文献1:日本特开2017-147278号公报
发明内容
本公开提供在平板显示器(Flat Panel Display,以下称作“FPD”)的制造过程中对FPD用的基板进行蚀刻处理等时有利于进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。
本公开的一技术方案为一种基板载置台,当在处理容器内处理基板时所述基板载置台载置所述基板并对其进行调温,其中,
所述基板载置台具有:
金属制的第1板,其借助间隙被划分区域成多个调温区域;以及
金属制的第2板,其与所述第1板接触,并具有比所述第1板的热传导率低的热传导率,
各个所述调温区域内置有进行固有的调温的调温部,
具有用于载置所述基板的上表面的所述第1板载置于所述第2板的上表面。
根据本公开,能够提供在对FPD用的基板进行蚀刻处理等时进行面内均匀性较高的处理的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法的一个例子的剖视图。
图2是图1的II-II向视图,且是第1板的横剖视图。
图3A是模拟了第1板的一个例子的俯视图。
图3B是模拟了第1板的另一例子的俯视图。
图3C是模拟了第1板的又一例子的俯视图。
图3D是模拟了第1板的再一例子俯视图。
图3E是模拟了第1板的又再一例子的俯视图。
图4A是温度分析中使用的基板载置台模型的一个例子的侧视图。
图4B是温度分析中使用的基板载置台模型的另一例子的侧视图。
图4C是图4A、图4B的C-C向视图,且是温度调整板模型的横剖视图,还是表示分析温度指定部位的图。
图5A是表示放电次数与电极温度的相关图表的图。
图5B是放大了图5A的B部的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造