[发明专利]一种静电保护器件在审
| 申请号： | 201911060817.7 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110620141A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张泽飞;郭朝亮 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阴极 静电保护器件 阳极 衬底表面 衬底 埋层 申请 | ||
1.一种静电保护器件，包括：
P型衬底；
位于所述P型衬底上的N型掺杂埋层；
位于所述N型掺杂埋层上方的相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；
位于所述第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；
位于所述第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；
位于所述第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；
位于所述第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；
位于所述第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；以及
位于所述P型衬底表面两侧的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；
其中所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区、所述第三P型重掺杂区及所述第五N型重掺杂区相连为阳极；所述第一P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述第四N型重掺杂区、所述第四P型重掺杂区、所述第五P型重掺杂区及所述第六P型重掺杂区相连为阴极。
2.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第五P型重掺杂区和所述第六P型重掺杂区相连为环形或矩形结构，并围绕所述N型掺杂埋层。
3.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第二P型重掺杂区、所述第二N型阱区及所述第一P型重掺杂区形成PNP晶体管；所述第三N型重掺杂区、所述第一P型阱区及所述第二N型重掺杂区形成NPN晶体管；所述第三P型重掺杂区、所述第二N型阱区、所述第四P型重掺杂区形成PNP晶体管；所述第三N型重掺杂区、所述第二P型阱区及所述第四N重掺杂区形成NPN晶体管。
4.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，相邻的所述阱区之间具有浅槽隔离结构。
5.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，相邻的所述阱区之间具有中掺杂区，所述中掺杂区的掺杂浓度介于所述阱区与所述重掺杂区之间。
6.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述阱区的宽度为2微米～50微米。
7.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述重掺杂区的宽度为1微米～10微米。
8.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一N型阱区、所述第二N型阱区及所述第三N型阱区相连，所述第一N型阱区与所述第三N型阱区相连为矩形或环形。
9.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述阳极与所述阴极之间的电压范围为6V～80V。
10.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述阱区和/或所述重掺杂区的深度为1微米～100微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海类比半导体技术有限公司，未经上海类比半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911060817.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
