[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

第1导电型的半导体层；

第2导电型的扩散层，其设置于所述半导体层的上层部；

多晶硅附加构造，其隔着第1氧化硅膜而设置在所述扩散层之上，由多晶硅形成；

第2氧化硅膜，其设置为与所述多晶硅附加构造的端面接触，从所述多晶硅附加构造的所述端面起具有平缓的向下的倾斜度；以及

第3氧化硅膜，其在所述扩散层之上与所述多晶硅附加构造的所述端面分离开一定距离地设置，由所述第1氧化硅膜覆盖，

所述第1氧化硅膜在覆盖所述第3氧化硅膜的部分隆起，由该隆起和具有所述平缓的向下的倾斜度的所述第2氧化硅膜构成具有平缓的阶梯状的表层的氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述扩散层至少在所述第3氧化硅膜的正下方的部分具有与周围相比杂质浓度低的低浓度扩散层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述扩散层在所述第3氧化硅膜的所述多晶硅附加构造侧的端缘部正下方和其相反侧的端缘部正下方的部分，各自具有与周围相比杂质浓度低的第1及第2低浓度扩散层，在所述第1及第2低浓度扩散层之间的部分具有所述半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

具有第4氧化硅膜，该第4氧化硅膜在所述扩散层之上与所述第3氧化硅膜向与所述多晶硅附加构造相反侧分离开一定距离地设置，

所述第1氧化硅膜在覆盖所述第3及第4氧化硅膜的部分隆起。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

具有第4氧化硅膜，该第4氧化硅膜在所述扩散层之上与所述第3氧化硅膜向所述多晶硅附加构造侧分离开一定距离地设置，

所述第1氧化硅膜在覆盖所述第3及第4氧化硅膜的部分隆起，

所述多晶硅附加构造形成为攀至所述第1氧化硅膜覆盖所述第4氧化硅膜的部分。

6.一种半导体装置的制造方法，其具备：

(a)在第1导电型的半导体层之上形成第3氧化硅膜的工序；

(b)将所述第3氧化硅膜图案化，设为具有第1宽度的环状膜的工序；

(c)在所述工序(b)后，从所述环状膜之上离子注入第2导电型的杂质，在所述半导体层的上层部形成第2导电型的扩散层的工序；

(d)在所述工序(c)后，在所述半导体层之上形成第1氧化硅膜，覆盖所述环状膜的工序；

(e)在所述第1氧化硅膜之上形成第1多晶硅膜的工序；

(f)将所述多晶硅膜图案化，形成多晶硅附加构造的工序；

(g)在所述半导体层之上形成第2氧化硅膜而覆盖所述多晶硅附加构造的工序；

(h)在所述工序(g)后去除所述第2氧化硅膜，仅在所述多晶硅附加构造的端面，以从所述端面起具有平缓的向下的倾斜度的方式残留所述第2氧化硅膜；

(i)以覆盖所述第1及第2氧化硅膜和所述多晶硅附加构造的方式层叠绝缘膜及第2多晶硅膜；以及

(j)局部地去除所述第2多晶硅膜的工序，

所述工序(f)包含下述工序，即，以从所述环状膜的内侧的端面至所述多晶硅附加构造的所述端面为止分离开一定距离的方式形成所述多晶硅附加构造。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述工序(b)包含下述工序，即，将所述环状膜的所述第1宽度设为比所述扩散层的掺杂剂的横向扩散距离的2.0倍小的值，或设为比所述掺杂剂的纵向扩散距离的1.2倍小的值。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述工序(b)包含下述工序，即，将所述环状膜的所述第1宽度设为大于或等于所述扩散层的掺杂剂的横向扩散距离的2.0倍的值，或设为大于或等于所述掺杂剂的纵向扩散距离的1.2倍的值。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述一定距离设定为比所述第2氧化硅膜的膜厚度的2倍小的值。