[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法有效

专利信息
申请号: 201911062996.8 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN111128282B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 谢维哲;郑基廷;林洋绪;吴尚锜 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/12;G11C16/24
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 写入 辅助 电路 将位线 电压 升压 方法
【权利要求书】:

1.一种写入辅助电路,包括:

第一晶体管开关,耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间;

第一金属电容器,具有耦合至所述第一晶体管开关的栅极的第一端和接收升压信号的第二端,其中,所述第一金属电容器用于响应于所述升压信号将所述位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值;

第二晶体管开关,连接在字线电压节点和电源电压之间;以及

第二金属电容器,具有耦合至所述字线电压节点的第一端和接收所述升压信号的第二端,其中,所述第二金属电容器用于响应于所述升压信号将所述字线电压节点的字线电压从所述电源电压驱动至升高值。

2.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述升压信号用于关闭所述第一晶体管开关,引起所述第一金属电容器的放电。

3.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述第一金属电容器包括第一金属板和平行于所述第一金属板的第二金属板。

4.根据权利要求3所述的写入辅助电路,其中,所述第一金属板位于第一金属层中,并且所述第二金属板位于第二金属层中,并且其中,所述第一金属层不同于所述第二金属层。

5.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述第一金属电容器包括扣手金属电容器。

6.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述第一金属电容器包括栅格型金属电容器。

7.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述第一金属电容器包括通孔型金属电容器。

8.根据权利要求1所述的写入辅助电路,还包括与所述第一金属电容器并联连接的金属氧化物半导体。

9.根据权利要求1所述的写入辅助电路,其中,所述升压信号用于关闭所述晶体管开关并且开始所述第一金属电容器的放电。

10.一种写入辅助电路,包括:

第一晶体管开关,连接在字线电压节点和电源电压之间,其中,所述第一晶体管开关的栅极用于响应于写入使能信号而接收升压信号;

第二晶体管开关,连接在所述字线电压节点和所述电源电压之间,其中,所述第二晶体管开关的栅极耦合至所述字线电压节点;以及

金属电容器,具有耦合至所述字线电压节点的第一端和用于接收所述升压信号的第二端,其中,所述金属电容器用于响应于所述升压信号将所述字线电压节点的字线电压从所述电源电压驱动至升压值。

11.根据权利要求10所述的写入辅助电路,其中,所述升压信号用于关闭所述第一晶体管开关、启动所述金属电容器的充电以及升压所述字线电压。

12.根据权利要求10所述的写入辅助电路,还包括:字线驱动器电路,所述字线驱动器电路用于将所述字线电压提供给单元阵列的字线。

13.根据权利要求10所述的写入辅助电路,还包括与所述金属电容器并联连接的金属氧化物半导体。

14.根据权利要求10所述的写入辅助电路,其中,所述金属电容器是包括第一多个金属条和第二多个金属条的扣手型金属电容器。

15.根据权利要求14所述的写入辅助电路,所述第一多个金属条和所述第二多个金属条中的至少一个的长度包括基础长度和延伸长度,其中,所述延伸长度小于或等于单元阵列的字线长度。

16.根据权利要求14所述的写入辅助电路,其中,所述第一多个金属条位于第一金属层中,并且所述第二多个金属条形成在第二金属层中,所述第二金属层不同于所述第一金属层。

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