[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法

说明书

提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器，金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及写入辅助电路和将位线电压负升压的方法。

背景技术

集成电路存储器的常见类型是静态随机存取存储器(SRAM)器件。典型的SRAM存储器器件包括位单元的阵列，每个位单元具有连接在较高参考电位和较低参考电位之间的六个晶体管。每个位单元具有可以存储信息的两个存储节点。第一节点存储期望的信息，而互补信息存储在第二存储节点。SRAM单元具有无需刷新即可保存数据的优点。

SRAM位单元可以起作用的最低VDD电压(正电源电压)称为Vccmin。在Vccmin附近具有低单元VDD可以减少泄漏电流，并且还可以减小读取翻转的发生率。但是具有较高的单元VDD提高成功写入操作的可能性。因此，Vccmin受写入操作的限制。

发明内容

本发明的实施例提供了一种写入辅助电路，包括：晶体管开关，耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间；反相器，用于响应于写入使能信号而接收升压信号，其中，所述反相器的输出耦合至所述晶体管开关的栅极；以及金属电容器，具有耦合至所述位线电压节点的第一端和耦合至所述晶体管开关的所述栅极的第二端，其中，所述金属电容器用于响应于所述升压信号将所述位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。

本发明的另一实施例提供了一种写入辅助电路，包括：第一晶体管开关，连接在字线电压节点和电源电压之间，其中，所述第一晶体管开关的栅极用于响应于写入使能信号而接收升压信号；第二晶体管开关，连接在所述字线电压节点和所述电源电压之间，其中，所述第二晶体管开关的栅极耦合至所述字线电压节点；以及金属电容器，具有耦合至所述字线电压节点的第一端和用于接收所述升压信号的第二端，其中，所述金属电容器用于响应于所述升压信号将所述字线电压节点的字线电压从所述电源电压驱动至升压值。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的具有第一升压电路的器件的示意图。

图2是示出根据一些实施例的使用第一升压电路的建模结果的图。

图3是示出根据一些实施例的第一升压电路的可选实施例的各方面的示意图。

图4是根据一些实施例的具有第二升压电路的器件的示意图。

图5是示出根据一些实施例的第二升压电路的可选实施例的各方面的示意图。

图6是示出根据一些实施例的金属电容器的第一示例实施方式的示意图。

图7是示出根据一些实施例的金属电容器的第二示例实施方式的示意图。

图8是示出根据一些实施例的金属电容器的第三示例实施方式的示意图。

图9A、图9B和图9C是示出根据一些实施例的金属电容器的第四示例实施方式的示意图。

图10A和图10B是示出根据一些实施例的用于第一升压电路的金属电容器的金属条的不同长度的示意图。

图10C是示出根据一些实施例的用于第一升压电路的金属电容器的金属条的不同长度的建模结果的图。