[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上的第一有源图案；

与所述第一有源图案的沟道区相交的栅电极；

覆盖所述第一有源图案和所述栅电极的第一绝缘层；

穿透所述第一绝缘层以便电连接到所述第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及

所述第一绝缘层上的第二有源图案，

其中所述第二有源图案的沟道区与所述接触部在竖直方向上重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案均具有第一表面和与所述第一表面相对并面向所述衬底的第二表面，

其中所述栅电极与所述第一有源图案的所述第一表面相邻，并且

其中所述接触部与所述第二有源图案的所述第二表面相邻。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：

第一栅介电层，设置在所述栅电极和所述第一有源图案的所述第一表面之间；以及

第二栅介电层，设置在所述接触部和所述第二有源图案的所述第二表面之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

覆盖所述第一有源图案的侧壁的器件隔离层；以及

所述器件隔离层上的电容器电极，

其中所述第一绝缘层的一部分设置在所述电容器电极和所述接触部之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述栅电极的第一宽度基本等于所述电容器电极的第二宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

电连接到所述第一有源图案的第二源/漏区的下导线，

其中所述下导线沿第一方向延伸，并且所述栅电极沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案沿第三方向延伸，并且

其中所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向二者均相交。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

第一上导线，电连接到所述第二有源图案的第一源/漏区；以及

第二上导线，电连接到所述第二有源图案的第二源/漏区，

其中所述第二上导线沿第一方向延伸，并且所述第一上导线沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案均包括非晶氧化物半导体。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

所述衬底上的逻辑晶体管；以及

覆盖所述逻辑晶体管且设置在所述衬底和所述第一有源图案之间的第二绝缘层。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述栅电极设置在所述第一有源图案的上部的凹入中。

12.一种半导体存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上的第一有源图案；

覆盖所述第一有源图案的侧壁的第一器件隔离层；

分别设置在所述第一有源图案和所述第一器件隔离层上的栅电极和电容器电极；

覆盖所述第一有源图案、所述栅电极和所述电容器电极的绝缘层；

穿透所述绝缘层以便电连接到所述第一有源图案的接触部，所述接触部设置在所述栅电极和所述电容器电极之间；以及

所述接触部上的第二有源图案。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中所述栅电极的第一宽度基本等于所述电容器电极的第二宽度。