[发明专利]半导体存储器件

说明书

一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2018年11月2日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0133421号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过全文引用一并于此。

技术领域

实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及具有改进集成密度的半导体存储器件。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛用于电子工业中。在半导体器件当中，数据存储器件可以存储逻辑数据。随着电子工业的发展，数据存储器件已经高度集成。因此，数据存储器件的元件或部件的宽度得以减小。

此外，随着数据存储器件的高度集成，需要数据存储器件的高可靠性。然而，高集成度可能会降低数据存储器件的可靠性。因此，已经进行了各种研究以提高数据存储器件的可靠性。

发明内容

一个方面是提供一种具有改进集成密度的半导体存储器件。

根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区可以与接触部在竖直方向上重叠。

根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：衬底；衬底上的第一有源图案；覆盖第一有源图案的侧壁的第一器件隔离层；分别设置在第一有源图案和第一器件隔离层上的栅电极和电容器电极；覆盖第一有源图案、栅电极和电容器电极的绝缘层；穿透绝缘层以便电连接到第一有源图案的接触部，接触部设置在栅电极和电容器电极之间；以及接触部上的第二有源图案。

根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种半导体存储器件，包括：衬底；衬底上的第一晶体管；连接到第一晶体管的栅极的第一字线；连接到第一晶体管的第一源/漏极的第一位线；在竖直方向上堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；竖直地连接第一晶体管的第二源/漏极和第二晶体管的栅极的存储节点；连接到第二晶体管的第一源/漏极的第二位线；以及连接到第二晶体管的第二源/漏极的第二字线。

附图说明

根据附图和以下具体实施方式部分，各种实施例将变得更加清楚，附图中：

图1是示出了根据一些实施例的半导体存储器件的单元阵列的示意性电路图；

图2是示出了根据一些实施例的半导体存储器件的平面视图；

图3是沿图2的A-A’线截取的横截面视图；

图4、图6、图8、图10、图12、图14、图16、图18和图20是示出了根据一些实施例的制造半导体存储器件的方法的平面视图；

图5、图7、图9、图11、图13、图15、图17、图19和图21是分别沿图4、图6、图8、图10、图12、图14、图16、图18和图20的A-A’线截取的横截面视图；

图22是沿图2的A-A’线截取的示出根据一些实施例的半导体存储器件的横截面视图；

图23是沿图2的A-A’线截取的示出根据本发明构思的一些实施例的半导体存储器件的横截面视图。

具体实施方式

图1是示出了根据一些实施例的半导体存储器件的单元阵列的示意性电路图。