[发明专利]一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法在审
申请号: | 201911064777.3 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN112760603A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;魏峰 | 申请(专利权)人: | 有研工程技术研究院有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C01G15/00;G01N27/12 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 柱状 氧化 铟气敏 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)将硅基片分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗15min,之后用氮气吹干;
2)采用氧化铟靶材,以氩气和氧气作为工作气体,采用射频掠射角磁控溅射在硅基片表面沉积氧化铟薄膜,控制基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角为80°~90°;
3)将试样置于马弗炉中进行热处理,热处理温度为400~600℃,热处理时间为2~4h。
2.根据权利要求1所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中本底真空度小于4×10-4Pa,溅射工作压强为0.5~3Pa,氧气的体积分数为20%~60%,溅射功率为50~200W。
3.根据权利要求2所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中溅射工作压强为1Pa,氧气的体积分数为40%,溅射功率为100W,掠射角为85°。
4.根据权利要求1所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中热处理温度为450℃,升温速度为2℃/min,热处理时间为4h。
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