[发明专利]一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911064777.3 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN112760603A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C01G15/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 柱状 氧化 铟气敏 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)将硅基片分别置于丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗15min，之后用氮气吹干；
2)采用氧化铟靶材，以氩气和氧气作为工作气体，采用射频掠射角磁控溅射在硅基片表面沉积氧化铟薄膜，控制基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角为80°～90°；
3)将试样置于马弗炉中进行热处理，热处理温度为400～600℃，热处理时间为2～4h。
2.根据权利要求1所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中本底真空度小于4×10-4Pa，溅射工作压强为0.5～3Pa，氧气的体积分数为20％～60％，溅射功率为50～200W。
3.根据权利要求2所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中溅射工作压强为1Pa，氧气的体积分数为40％，溅射功率为100W，掠射角为85°。
4.根据权利要求1所述的多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中热处理温度为450℃，升温速度为2℃/min，热处理时间为4h。
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