[发明专利]一种NMOS开关管共享限流电阻芯片电路在审
| 申请号： | 201911064894.X | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112787647A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 孙德臣 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 开关 共享 限流 电阻 芯片 电路 | ||
1.一种NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，包括栅极均分别连接到内部控制信号端上的若干个NMOS管，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管漏端通过同一个漏端限流电阻连接到开关共高端，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管源端通过同一个源端限流电阻连接到开关共低端，所述若干个NMOS管中的每一个NMOS管衬底均连接到接地端。
2.根据权利要求1所述的NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管之间共享漏端限流电阻与共享源端限流电阻呈依次交错共享分布。
3.根据权利要求1所述的NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，所述若干个NMOS管中的第一NMOS管的源极通过第一源端限流电阻连接到所述开关共低端，所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极互连后通过第一漏端限流电阻连接到所述开关共高端，所述第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极互连后通过第二源端限流电阻连接到所述开关共低端，所述第三NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极互连后通过第二漏端限流电阻连接到所述开关共高端，所述第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极互连后通过第三源端限流电阻连接到所述开关共低端，以此类推，在所述若干个NMOS管中实现共享漏端限流电阻与共享源端限流电阻的依次交错共享。
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