[发明专利]电子设备、存储器件以及操作存储器件的方法

权利要求书

1.一种电子设备，其包括存储器件和存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述存储器件，所述存储器件包括：

存储单元阵列，其包括可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元被耦接至并设置在彼此交叉的第一导线与第二导线之间；和

外围电路，其被配置为通过所述第一导线向所述可变电阻存储单元提供写入脉冲或读取脉冲，

其中，所述外围电路控制所述写入脉冲以具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种，并且控制所述读取脉冲以具有与所述可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性，所述第一非晶化起始电流值由具有所述第一极性的第一脉冲来确定，所述第二非晶化起始电流值由具有所述第二极性的第二脉冲来确定。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述读取脉冲用于读取所述可变电阻存储单元的设置状态。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，当所述第一非晶化起始电流值大于所述第二非晶化起始电流值时，所述读取脉冲具有所述第一极性，以及当所述第二非晶化起始电流值大于所述第一非晶化起始电流值时，所述读取脉冲具有所述第二极性。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，不管用于对所述可变电阻存储单元执行写入操作的写入脉冲的极性如何，所述外围电路在读取操作中向所述可变电阻存储单元提供具有与所述第一非晶化起始电流值和所述第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性的读取脉冲。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述读取脉冲的极性被储存在所述存储器控制器中，并且所述外围电路基于储存在所述存储器控制器中的所述极性来控制所述读取脉冲。

6.一种存储器件，包括：

存储单元阵列，其包括可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元被耦接至并设置在彼此交叉的第一导线与第二导线之间；和

外围电路，其被配置为通过所述第一导线向所述可变电阻存储单元提供写入脉冲或读取脉冲，

其中，所述写入脉冲被控制为具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种，以及

其中，所述读取脉冲被控制为具有与所述可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性，所述第一非晶化起始电流值由具有所述第一极性的第一脉冲来确定，所述第二非晶化起始电流值由具有所述第二极性的第二脉冲来确定。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述读取脉冲用于读取所述可变电阻存储单元的设置状态。

8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，当所述第一非晶化起始电流值大于所述第二非晶化起始电流值时，所述读取脉冲具有所述第一极性，以及当所述第二非晶化起始电流值大于所述第一非晶化起始电流值时，所述读取脉冲具有所述第二极性。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，不管用于对所述可变电阻存储单元执行写入操作的写入脉冲的极性如何，所述外围电路在读取操作中向所述可变电阻存储单元提供具有与所述更大的非晶化起始电流值相对应的极性的读取脉冲。

10.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述可变电阻存储单元包括：

可变电阻层；

电阻电极，其设置在所述可变电阻层与所述第一导线之间；

选择元件层，其设置在所述可变电阻层与所述第二导线之间；和

中间电极，其设置在所述可变电阻层与所述选择元件层之间。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述可变电阻存储单元的非晶化起始电流是通过控制所述可变电阻层与所述电阻电极之间的界面特性和所述可变电阻层与所述中间电极之间的界面特性中的至少一者来调整的。