[发明专利]电子设备、存储器件以及操作存储器件的方法

说明书

本发明技术提供了一种电子设备、存储器件以及操作存储器件的方法。该存储器件包括：存储单元阵列，其包括与第一导线和第二导线耦接的可变电阻存储单元；以及外围电路，其被配置为通过第一导线向可变电阻存储单元提供写入脉冲或读取脉冲。写入脉冲被控制为具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种。读取脉冲被控制为具有与可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性，第一非晶化起始电流值由具有第一极性的第一脉冲来确定，第二非晶化起始电流值由具有第二极性的第二脉冲来确定。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年5月8日提交的申请号为10-2019-0053877的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开涉及一种电子设备、可变电阻存储器件以及操作该可变电阻存储器件的方法。

背景技术

诸如计算机、数码相机和智能电话的电子设备使用存储系统来处理数据。所述存储系统可以包括其中储存数据的存储器件和控制该存储器件的控制器。

存储器件正在根据高性能、小型化和低功耗的趋势而进行各种开发。作为下一代存储器件的示例，已经提出了可变电阻存储器件。可变电阻存储器件可以根据施加到存储单元的电压或电流而具有不同的电阻状态中的一种，并且可以在没有电源的情况下保持存储单元中所储存的电阻状态。像这样的可变电阻存储器件，有相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)和电熔丝等。

发明内容

根据本公开的实施例的电子设备可以包括存储器件和被配置为控制所述存储器件的存储器控制器。所述存储器件可以包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括被耦接至并设置在彼此交叉的第一导线与第二导线之间的可变电阻存储单元。所述存储器件还可以包括外围电路，所述外围电路被配置为通过第一导线向所述可变电阻存储单元提供写入脉冲或读取脉冲。所述外围电路可以控制写入脉冲以具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种，并且可以控制读取脉冲以具有与所述可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性，第一非晶化起始电流值由具有第一极性的第一脉冲来确定，第二非晶化起始电流值由具有第二极性的第二脉冲来确定。

根据本公开的实施例的存储器件可以包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括被耦接至并设置在彼此交叉的第一导线与第二导线之间的可变电阻存储单元。所述存储器件还可以包括外围电路，所述外围电路被配置为通过第一导线向所述可变电阻存储单元提供写入脉冲或读取脉冲。所述写入脉冲可以被控制为具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种，所述读取脉冲可以被控制为具有与可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性，第一非晶化起始电流值由具有第一极性的第一脉冲来确定，第二非晶化起始电流值由具有第二极性的第二脉冲来确定。

根据本公开的实施例的操作存储器件的方法可以包括：将写入脉冲施加到与彼此交叉的第一导线和第二导线耦接的可变电阻存储单元。所述写入脉冲可以具有彼此相反的第一极性与第二极性中的一种，并且可以被施加到第一导线。所述方法还可以包括将具有与所述可变电阻存储单元的第一非晶化起始电流值和第二非晶化起始电流值之中的更大的值相对应的极性的读取脉冲施加到第一导线，以读取被写入到所述可变电阻存储单元的数据。第一非晶化起始电流值可以通过将具有第一极性的第一脉冲施加到所述可变电阻存储单元来获得，以及第二非晶化起始电流值可以通过将具有第二极性的第二脉冲施加到所述可变电阻存储单元来获得，第二极性与第一极性相反。

读取脉冲可以用于读取所述可变电阻存储单元的设置状态。

附图说明

图1A和图1B示出根据本公开的实施例的电子设备。

图2示出根据本公开的实施例的存储器件。