[发明专利]掩模组件及制造掩模组件的方法

说明书

提供了一种掩模组件和一种制造掩模组件的方法。所述掩模组件包括：掩模片，包括具有至少一个开口部分的图案部分和连接到图案部分的焊接部分；以及掩模框架，掩模片安装在掩模框架上，掩模框架焊接到焊接部分。掩模片包括被构造为面对掩模框架的第一表面和与第一表面相对的第二表面。焊接部分包括影线区域，第二表面在影线区域中的表面粗糙度大于第二表面在图案部分中的表面粗糙度。

本专利申请要求于2018年11月8日提交的第10-2018-0136310号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开在此涉及一种掩模组件及一种制造掩模组件的方法。

背景技术

用于在有机发光显示设备中提供有机化合物的薄膜的各种方法包括真空沉积、溅射、离子束沉积、脉冲激光沉积、分子束沉积、化学气相沉积(CVD)、旋涂等。

在这些方法之中，最常用的真空沉积技术是在真空室中将沉积源与膜形成基底组合以提供薄膜的方法。这是用于提供有机电场发光元件的发光层的代表性方法。然而，在这样的沉积工艺中使用的掩模是以蚀刻方式制造的，因此制造范围变得有限。

为了制造生产高分辨率产品的掩模，使用电镀方式。电镀掩模可以实现高分辨率产品，因此被广泛用于设置有机电场发光元件的发光层。

发明内容

本公开提供了一种其焊接特性被改善的掩模组件及一种制造掩模组件的方法。

发明构思的实施例提供了一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模片和掩模框架。掩模片包括具有至少一个开口部分的图案部分和连接到图案部分的焊接部分。掩模片安装在掩模框架上，并且掩模框架焊接到掩模片的焊接部分。

在实施例中，掩模片可以包括面对掩模框架的第一表面和与第一表面相对的第二表面，焊接部分可以包括影线区域。第二表面在影线区域中的表面粗糙度可以大于第二表面在图案部分中的表面粗糙度。

在实施例中，第二表面在影线区域中的算术平均粗糙度可以大于第二表面在图案部分中的算术平均粗糙度。

在实施例中，第二表面在影线区域中的算术平均粗糙度可以是大约0.1μm至大约0.2μm，第二表面在图案部分中的算术平均粗糙度可以是大约0μm至大约0.05μm。

在实施例中，第二表面在影线区域中的十点平均粗糙度可以大于第二表面在图案部分中的十点平均粗糙度。

在实施例中，第二表面在影线区域中的十点平均粗糙度可以是大约2.0μm至大约5.0μm，第二表面在图案部分中的十点平均粗糙度可以是大约0μm至大约0.5μm。

在实施例中，掩模片可以具有大约20μm至大约50μm的厚度。

在实施例中，焊接部分还可以包括固定到掩模框架的焊接点，焊接点可以设置在影线区域中。

在实施例中，焊接点可以具有小于影线区域的宽度。

在实施例中，掩模片在影线区域中的颗粒尺寸可以大于掩模片在图案部分中的颗粒尺寸。

在发明构思的实施例中，一种制造掩模组件的方法包括下述步骤：设置包括临时图案部分和临时焊接部分的基体片；在基体片的第一表面位置处将加工图案设置到临时图案部分；将基体片倒置；对基体片的与第一表面相对的第二表面执行用于在临时焊接部分中设置影线区域的影线工艺，以完成掩模片；以及执行用于利用焊接激光照射影线区域的焊接工艺，以将掩模片固定到掩模框架。影线区域具有高于临时图案部分的表面粗糙度。

在实施例中，可以通过利用影线激光照射影线区域来进行执行影线工艺的步骤。

在实施例中，影线激光可以具有绿色波长带。