[发明专利]半导体测试结构、制备方法及半导体测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供测试衬底，所述测试衬底具有相对的第一面及第二面；

于所述第一面上形成测试器件层，所述测试器件层中形成有第一互连接触部、第二互连接触部及至少一层金属层，所述第一互连接触部的一端与所述测试衬底相接触，另一端通过所述金属层与所述第二互连接触部电连接；

于所述测试衬底中形成接触孔及测试孔，所述接触孔与所述测试孔均贯穿所述测试衬底的上下表面且二者之间具有间距，所述接触孔显露所述第二互连接触部，并使得所述第二互连接触部与所述测试衬底相绝缘；以及

于所述接触孔的内壁表面形成隔离层并至少于所述隔离层内壁上形成贯穿接触部，于所述测试孔中形成贯穿所述测试衬底的绝缘测试部，其中，所述绝缘测试部隔离所述测试衬底以将所述测试衬底分为至少两个相绝缘的部分，所述贯穿接触部与所述第二互连接触部电连接，以形成测试单元；

其中，所述接触孔、测试孔与器件区域的阱区隔离结构基于同一工艺形成，从而通过对所述测试单元的测试实现对所述阱区隔离结构的监控。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，形成所述测试器件层之后还包括步骤：于所述测试衬底的所述第二面上形成绝缘介质层，且所述贯穿接触部还延伸贯穿所述绝缘介质层的上下表面。

3.根据权利要求2所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘介质层、所述接触孔及所述测试孔的步骤包括：

于所述测试衬底的所述第二面表面形成绝缘介质材料层；

于所述绝缘介质材料层上形成图形化掩膜层；

基于所述图形化掩膜层对所述绝缘介质材料层及所述测试衬底进行刻蚀，以形成所述绝缘介质层、所述接触孔以及所述测试孔。

4.根据权利要求2所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，形成所述贯穿接触部之后还包括步骤：于所述绝缘介质层上形成与所述贯穿接触部电连接的电性引出结构。

5.根据权利要求1所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述测试孔的形状包括环形，环形的所述测试孔套设于所述接触孔的外围，且所述第一互连接触部与所述测试孔所限定的环形区域内的所述测试衬底相接触。

6.根据权利要求5所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述环形区域划分为相邻的主体区及接触穿孔区，所述第一互连接触部与所述第二互连接触部的数量相同，其中，所述第一互连接触部形成于所述主体区对应的所述测试器件层中，所述第二互连接触部形成于所述接触穿孔区对应的所述测试器件层中。

7.根据权利要求1所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述半导体测试结构的制备方法包括制备至少两个所述测试单元的步骤，其中，不同所述测试单元的所述贯穿接触部与不同的测试电压相连接以进行半导体测试。

8.根据权利要求7所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述半导体测试结构的制备方法还包括制备第一金属梳齿部及第二金属梳齿部的步骤，其中，所述第一金属梳齿部与所述第二金属梳齿部呈叉指状设置，且所述第一金属梳齿部及所述第二金属梳齿部分别与不同所述测试单元的所述贯穿接触部电连接。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述接触孔、所述测试孔与器件区域的阱区隔离结构基于同一工艺形成；所述绝缘测试部与所述隔离层基于同一工艺形成。

10.根据权利要求9所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，采用氧化工艺形成所述绝缘测试部及所述隔离层。

11.根据权利要求9所述的半导体测试结构的制备方法，其特征在于，所述测试孔的宽度小于所述隔离层厚度的两倍。