[发明专利]一种高亮度正装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201911066152.0 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN110676358A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;陈凯 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/08;H01L33/26;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 发光结构 散射层 衬底 芯片 白色无机材料 无机荧光材料 图形化结构 衬底背面 衬底正面 出光效率 切割槽 全反射 全光谱 散射 正装 吸收 制作 | ||
1.一种高亮度正装LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面的发光结构、以及位于发光结构之间的切割槽，其特征在于，还包括设置在衬底背面的具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层由白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收。
2.如权利要求1所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述反射散射层由若干个颗粒状的白球组成，所述白球由白色无机材料制成，所述白球的粒径为0.5～1.5μm。
3.如权利要求1或2所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述白色无机材料为氧化锆或氧化钛。
4.如权利要求1所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述无机荧光材料为碱土金属的硫化物或碱土金属的铝酸盐制成。
5.如权利要求4所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述碱土金属的硫化物为ZnS或CaS。
6.如权利要求4所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述碱土金属的铝酸盐为SrAl2O4、CaAl2O4或BaAl2O4。
7.如权利要求1所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述反射散射层的厚度为100～3000μm。
8.如权利要求1所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述图形化结构包括隔离槽，所述隔离槽沿着反射散射层的表面刻蚀至衬底的表面，所述隔离槽与切割槽的位置相对应。
9.如权利要求2所述的高亮度正装LED芯片，其特征在于，所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽和第二隔离槽的交汇处设有缺口，所述缺口设于反射散射层的边角处，以增加第一隔离槽和第二隔离槽交汇处的面积。
10.一种高亮度正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底的正面形成若干个发光结构和切割槽，所述切割槽位于发光结构之间；
采用光刻和刻蚀工艺在衬底的背面形成具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层为白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收。
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