[发明专利]一种高亮度正装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种高亮度正装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、若干个设于衬底正面的发光结构、以及位于发光结构之间的切割槽，其特征在于，还包括设置在衬底背面的具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层由白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收，提高芯片的出光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度正装LED芯片及其制作方法。

背景技术

现有的正装LED芯片包括衬底、以及设置在衬底正面的外延层和电极，为了提高出光效率，技术人员在衬底的背面设置一层DBR层或ODR层，以将外延层向衬底背面的出光反射到衬底正面一侧出光。但DBR层或ODR层存在以下两个缺点：一、光的反射角度小；二、光反射之后会被外延层吸收，形成二次反射，多次重复后，出光效率会降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度正装LED芯片及其制作方法，减少有源层对反射光的吸收，提高芯片的出光效率。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种高亮度正装LED芯片及其制作方法，便于切割成单颗LED芯片。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高亮度正装LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面的发光结构、以及位于发光结构之间的切割槽，还包括设置在衬底背面的具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层由白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收。

作为上述方案的改进，所述反射散射层由若干个颗粒状的白球组成，所述白球由白色无机材料制成，所述白球的粒径为0.5～1.5μm。

作为上述方案的改进，所述白色无机材料为氧化锆或氧化钛。

作为上述方案的改进，所述无机荧光材料为碱土金属的硫化物或碱土金属的铝酸盐制成。

作为上述方案的改进，所述碱土金属的硫化物为ZnS或CaS。

作为上述方案的改进，所述碱土金属的铝酸盐为SrAl₂O₄、CaAl₂O₄或BaAl₂O₄。

作为上述方案的改进，所述反射散射层的厚度为100～3000μm。

作为上述方案的改进，所述图形化结构包括隔离槽，所述隔离槽沿着反射散射层的表面刻蚀至衬底的表面，所述隔离槽与切割槽的位置相对应。

作为上述方案的改进，所述隔离槽包括第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽和第二隔离槽的交汇处设有缺口，所述缺口设于反射散射层的边角处，以增加第一隔离槽和第二隔离槽交汇处的面积。

相应地，本发明还提供了一种高亮度正装LED芯片的制作方法，包括以下步骤：

在衬底的正面形成若干个发光结构和切割槽，所述切割槽位于发光结构之间；

采用光刻和刻蚀工艺在衬底的背面形成具有图形化结构的反射散射层，所述反射散射层为白色无机材料或无机荧光材料制成，所述反射散射层对发光结构向衬底背面发出的光进行散射和全反射，经过反射散射层反射的光变成全光谱，以减少发光结构对光的吸收。

实施本发明，具有如下有益效果：