[发明专利]一种低功率激光还原石墨烯膜及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)准备氧化石墨烯分散液；

(2)将步骤(1)的氧化石墨烯分散液置于衬底上，制备得到氧化石墨烯分散液膜；

(3)冷冻干燥步骤(2)的氧化石墨烯分散液膜，制备得到氧化石墨烯膜；

(4)以激光照射还原步骤(3)的氧化石墨烯膜，制备得到石墨烯膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氧化石墨烯分散液的浓度为0.001mg/ml～20mg/ml。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氧化石墨烯分散液的浓度为0.01mg/ml～20mg/ml。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氧化石墨烯分散液的浓度为0.1mg/ml～10mg/ml。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将氧化石墨烯分散液置于衬底表面的方法选自滴涂、浇筑、浸渍、丝网印刷、喷墨打印、辊涂、喷涂、刮涂、旋涂中的任一种方式。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述衬底选自石英玻璃、单晶硅、聚四氟乙烯(PTFE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、DVD光盘、聚乙烯(PE)或聚氯乙烯(PVC)中的任一种。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述冷冻干燥的温度为-50℃～-5℃；所述冷冻干燥的时间为10分钟～72小时。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述冷冻干燥的温度为-30℃～-10℃；所述冷冻干燥的时间为30分钟～12小时。

9.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，在真空环境下冷冻干燥，压力小于等于200Pa。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，真空度为1～50Pa。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，真空度为1～10Pa。

12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，在真空环境下冷冻干燥，压力小于等于200Pa。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，真空度为1～50Pa。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，真空度为1～10Pa。

15.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述冷冻干燥后氧化石墨烯膜的厚度为10nm～300μm。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述冷冻干燥后氧化石墨烯膜的厚度为1μm～60μm。

17.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述激光照射的功率为1mW～100W；所述激光照射的总时间为1分钟～120分钟。