[发明专利]中介层及包括中介层的半导体封装

权利要求书

1.一种中介层，包括：

基础基底；

互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案；

上钝化层，位于所述互连结构上，所述上钝化层具有压缩应力；

下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比所述上钝化层的所述压缩应力小的压缩应力；

下导电层，位于所述下钝化层下面；以及

贯穿电极，穿透所述基础基底及所述下钝化层，所述贯穿电极将所述下导电层电连接到所述互连结构的所述金属互连图案。

2.根据权利要求1所述的中介层，其中所述上钝化层的所述压缩应力介于150MPa与250MPa之间，且

所述下钝化层的所述压缩应力介于100MPa与200MPa之间。

3.根据权利要求1所述的中介层，其中所述下钝化层的厚度大于所述上钝化层的厚度。

4.根据权利要求3所述的中介层，其中所述上钝化层的所述厚度介于1μm与2μm之间，且

所述下钝化层的所述厚度介于2μm与3μm之间。

5.根据权利要求1所述的中介层，其中所述上钝化层及所述下钝化层各自包括氧化硅层及氮化硅层。

6.根据权利要求5所述的中介层，其中所述上钝化层包括第一层及第二层，

所述第一层位于所述互连结构上且包含氧化硅，且

所述第二层位于所述第一层上且包含氮化硅。

7.根据权利要求5所述的中介层，其中所述下钝化层包括：

第一层，位于所述基础基底的底表面下面，所述第一层包含氧化硅；以及

第二层，位于所述第一层下面，所述第二层包含氮化硅。

8.根据权利要求1所述的中介层，还包括：

连接焊盘，位于所述互连结构上，其中所述连接焊盘电连接到所述互连结构的所述金属互连图案，且

所述上钝化层覆盖所述连接焊盘的一部分。

9.根据权利要求8所述的中介层，其中所述上钝化层的厚度等于所述连接焊盘的厚度。

10.根据权利要求8所述的中介层，其中所述上钝化层的厚度大于所述连接焊盘的厚度。

11.根据权利要求8所述的中介层，其中所述上钝化层包括面对所述互连结构的底表面以及与所述上钝化层的所述底表面相对的顶表面，且

所述上钝化层的所述顶表面是平坦的。

12.一种中介层，包括：

基础基底；

互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案；

连接焊盘，位于所述互连结构的顶表面上，所述连接焊盘电连接到所述互连结构的所述金属互连图案；

上钝化层，覆盖所述互连结构的所述顶表面，所述上钝化层具有压缩应力，所述上钝化层的厚度大于或等于所述连接焊盘的厚度；以及

下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，使得所述基础基底的所述底表面覆盖所述下钝化层，所述下钝化层具有压缩应力。

13.根据权利要求12所述的中介层，其中所述上钝化层包括平坦化的顶表面。

14.根据权利要求13所述的中介层，其中所述上钝化层的所述厚度等于所述连接焊盘的所述厚度，且

所述上钝化层的所述顶表面与所述连接焊盘的顶表面共面。

15.根据权利要求13所述的中介层，其中所述上钝化层的所述厚度大于所述连接焊盘的所述厚度，且

所述上钝化层的所述顶表面处于比所述连接焊盘的顶表面高的水平高度处。