[发明专利]中介层及包括中介层的半导体封装

说明书

提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括：基础基底；互连结构，位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案；上钝化层，位于互连结构上且具有压缩应力；下钝化层，位于基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2019年3月26日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2019-0034486号的权利，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种中介层及一种包括中介层的半导体封装，且更具体来说，涉及一种能够抑制翘曲的中介层及一种包括中介层的半导体封装。

背景技术

随着半导体晶片(例如硅晶片)的直径增大，半导体晶片可更容易发生翘曲。举例来说，当制造大面积的中介层或当使用中介层执行半导体封装工艺时，中介层和/或半导体封装可能会因所述中介层或所述半导体封装的各个组件之间的热膨胀系数(coefficientof thermal expansion，CTE)差异而发生翘曲。

发明内容

本发明概念提供一种中介层及一种包括中介层的半导体封装，所述中介层通过抑制翘曲而具有改善的可靠性。

另外，本发明概念提供一种制造中介层的方法及一种制造包括中介层的半导体封装的方法，所述中介层通过抑制翘曲而具有改善的可靠性。

根据本发明概念的一个方面，提供一种中介层，所述中介层包括：基础基底；互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案；上钝化层，位于所述互连结构上，所述上钝化层具有压缩应力；下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比所述上钝化层的所述压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于所述下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透所述基础基底及所述下钝化层，所述贯穿电极将所述下导电层电连接到所述互连结构的所述金属互连图案。

根据本发明概念的另一方面，提供一种中介层，所述中介层包括：基础基底；互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案；连接焊盘，布置在所述互连结构的顶表面上，所述连接焊盘电连接到所述互连结构的所述金属互连图案；上钝化层，覆盖所述互连结构的顶表面，所述上钝化层具有压缩应力，所述上钝化层的厚度大于或等于所述连接焊盘的厚度；以及下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，使得所述基础基底的所述底表面覆盖所述下钝化层，所述下钝化层具有压缩应力。

根据本发明概念的另一方面，提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：基础基底；互连结构，位于所述基础基底的顶表面上，所述互连结构包括金属互连图案；连接焊盘，位于所述互连结构上，所述连接焊盘电连接到所述互连结构的所述金属互连图案；上钝化层，位于所述互连结构上，所述上钝化层覆盖所述连接焊盘的一部分，且所述上钝化层具有压缩应力；下钝化层，位于所述基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有压缩应力；下导电层，位于所述下钝化层下面；贯穿电极，穿透所述基础基底及所述下钝化层，所述贯穿电极将所述下导电层电连接到所述互连结构的所述金属互连图案；以及至少一个半导体芯片，位于中介层上，所述中介层包括所述基础基底、所述互连结构、所述连接焊盘、所述上钝化层、所述下钝化层、所述下导电层及所述贯穿电极。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明将更清楚地理解本发明概念的实施例，在附图中：

图1是示出根据本发明概念示例性实施例的中介层的剖视图。

图2是图1中的区“II”的放大图。

图3是图1中的区“III”的放大图。

图4A及图4B是分别示出根据本发明概念示例性实施例的中介层的一部分的剖视图。