[发明专利]转移装置及其清洁方法

说明书

一种转移装置，用于在半导体制造过程中将半导体晶片转移到蚀刻和其他制造过程中的装置中，并保持真空环境的清洁度。该转移装置包括存储晶片的转移室，从转移室抽取颗粒的真空系统以及用于温度控制的热电装置。真空系统包括抽气管，热电装置包括用于冷却转移室的冷却装置，以及监测装置。所述监测装置用于检测转移室中的颗粒浓度。冷却装置和真空系统设于转移室下方，所述冷却装置包括设置在抽气管上的帕尔帖元件，以冷却抽气管，从而使烟雾和颗粒朝着转移室下部移动。本申请还提供一种清洁方法，用于清洁所述转移装置中的转移室。

技术领域

本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种转移装置及其清洁方法。

背景技术

半导体制造的某些阶段，例如等离子蚀刻阶段和化学气相沉积阶段，需要在低气压或接近真空条件下进行。在半导体的这些制造阶段中使用的半导体加工设备的内部必须保持在低压/真空条件下。为了实现(接近)真空条件，需要使用真空泵对半导体加工设备进行抽签。为了保持半导体加工设备中的真空条件，一个或多个前置样品室和转移室作为半导体加工设备与一个或多个加载端口之间的接口，用于暂存和转移需要加工的半导体晶片。由于半导体晶片在加工过程中会产生颗粒，并在半导体晶片转移的过程中将颗粒带入转移室中，如何获知转移室的洁净程度并保持转移室的清洁成为需要解决的问题。

发明内容

鉴于上述状况，有必要提供一种能够清洁转移室并检测转移室清洁程度的转移装置。

一种转移装置，包括：转移室，用于放置半导体晶片；真空系统，用于吸取所述转移室内的颗粒，设置在所述转移室下方，所述真空系统包括连通所述转移室的抽气管；和热电装置，设置在所述抽气管上。所述热电装置包括一冷却装置和一监测装置；所述冷却装置设置在所述转移室下方并用于冷却所述转移室，所述转移室中被冷却的颗粒掉落至所述转移室下部，所述冷却装置包括多个帕尔帖元件，所述多个帕尔帖元件设置在所述抽气管上；所述监测装置设置在所述冷却装置上并连通所述抽气管，所述监测装置用于检测所述转移室内的颗粒浓度；当检测的颗粒浓度大于或等于一预设值时，所述监测装置发出清洁警报。

可选地，所述冷却装置包括一多边形壳体，所述多边形壳体设置在所述抽气管上，所述多个帕尔帖元件设置在所述多边形壳体上。

可选地，所述多个帕尔帖元件设置在所述多边形壳体的外表面，并且所述多个帕尔帖元件相互并联或串联；所述多个帕尔帖元件布置成与多边形壳体的外周形状匹配的阵列结构。

可选地，所述监测装置包括颗粒传感器，所述颗粒传感器用于检测所述抽气管中的颗粒浓度。

可选地，所述颗粒传感器通过一连接管连通所述抽气管，所述抽气管中的样本颗粒进入所述连接管以激发所述颗粒传感器。

可选地，所述监测装置包括温度传感器，所述温度传感器用于检测所述多边形壳体的温度。

可选地，所述监测装置包括警报装置，所述颗粒传感器与所述警报装置电连接，当所述颗粒传感器检测的颗粒浓度大于或等于所述预设值时，所述警报装置发出清洁提示信息。

可选地，所述抽气管为六边形管道，所述多个帕尔帖元件设置在所述抽气管的外表面，所述监测装置通过一连接管连通所述抽气管。

一种清洁方法，用于清洁上述任一项所述的转移装置中的转移室，所述清洁方法包括：

传送机构移动晶片至转移室；

冷却装置中的多个帕尔帖元件冷却所述转移室，所述冷却装置位于所述转移室下方，所述转移室中的颗粒被冷却并落到所述转移室的下部；

真空系统从所述转移室中抽取颗粒，所述真空系统位于所述转移室下方；

监测装置检测所述转移室内的颗粒浓度；

当所述监测装置测得的颗粒浓度大于或等于一预设值时，所述监测装置发出一警报信号；