[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201911071816.2 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN110854251B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 蔡钟炫;俆大雄;金彰渊;孙成寿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
基底;
发光结构,位于所述基底上,并包括第一导电型半导体层及台面,所述台面在所述第一导电型半导体层下部彼此相隔地布置且分别包括有源层及第二导电型半导体层;
反射电极层,位于所述台面上,并与所述第二导电型半导体层欧姆接触;
第一绝缘层,覆盖所述台面及所述第二导电型半导体层,并包括位于所述台面上的区域内并使所述反射电极层的一部分暴露的第一开放区域;
电极层,位于所述基底和所述发光结构之间,
所述基底包括:至少两个体电极,与所述发光结构电连接;绝缘支撑件,布置于所述体电极之间而围绕所述体电极,
所述体电极在彼此相向的面分别包括互相咬合的凹部及凸部,
所述凸部包括宽度沿着突出方向变化的区间。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述体电极中的一个体电极所包括的凸部与相向的所述体电极中的另外一个体电极所包括的凹部相隔预定间距。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述凸部包括宽度连续或断续地变宽的区间。
4.如权利要求3所述的发光二极管,其中,
在所述凸部的宽度断续地变宽的区间,所述凸部的宽度分别在1.5倍至2倍范围内变宽。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述凸部的整体面积为所述体电极的整体面积的1/4以上。
6.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述体电极中的任意一个所包括的凸部相隔预定间距。
7.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
布置于所述体电极之间的所述绝缘支撑件向所述体电极的侧面延伸而包围所述体电极。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述绝缘支撑件包括光敏聚酰亚胺、Su-8、用于电镀的光刻胶、聚对二甲苯、环氧模塑料和陶瓷粉中的至少一个。
9.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述体电极具有20μm至200μm的高度。
10.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
还包括:多个焊盘金属层,布置在所述第一绝缘层和所述体电极之间,并分别与所述反射电极层及所述电极层电连接。
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