[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201911071816.2 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN110854251B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 蔡钟炫;俆大雄;金彰渊;孙成寿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
公开了一种发光二极管,其包括:基底;发光结构,位于基底上,并包括第一导电型半导体层及台面,台面在第一导电型半导体层下部彼此相隔地布置且分别包括有源层及第二导电型半导体层;反射电极层,位于台面上,并与第二导电型半导体层欧姆接触,第一绝缘层,覆盖台面及第二导电型半导体层,并包括位于台面上的区域内并使反射电极层的一部分暴露的第一开放区域;电极层,位于基底和发光结构之间;基底包括:至少两个体电极,与发光结构电连接;模具,布置于体电极之间而围绕体电极,体电极在彼此相向的面分别包括互相咬合的凹部及凸部,凸部包括宽度沿着突出方向变化的区间。
本申请是申请日为2015年08月28日、申请号为201580038935.1、题为“发光装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
本专利文献的公开内容涉及发光二极管。所公开的技术的一些实施方式涉及发光装置,该发光装置通过将晶片级的生长衬底分离而制成。
背景技术
作为通过在电子和空穴之间复合发光的无机半导体装置的发光装置,近来已经用于各种领域,诸如显示器、车辆灯、普通照明装置等等。
近来,与对小型高输出发光装置的需求的增长一致,对于具有优异热辐射效率的大面积倒装芯片型发光装置的需求也在增加。倒装芯片型发光装置的电极直接结合至次级衬底,并且不再使用用于向倒装芯片型发光装置供应外部电源的导线,以使得倒装芯片型发光装置具有显著高于水平型发光装置的热辐射效率。因此,尽管施加了高密度电流,热可以被有效地传导到次级衬底,以使得倒装芯片型发光装置适合用于高输出光源。
发明内容
技术问题
本专利文献的示例性实施例提供了一种发光装置,其能够通过分离生长衬底来具有改善的光效率和热辐射效率。
本专利文献的示例性实施例提供了一种发光装置,其包括支撑构件,焊盘形成在该构件上的同时取代晶片级的次级衬底。
本专利文献的示例性实施例提供了一种发光装置,其能够通过尽可能宽地确保焊盘的宽度而改善热辐射效应并防止焊盘之间的短路。
本专利文献的示例性实施例提供了一种发光装置,其能够通过防止金属元素在焊膏内扩散而使用焊膏直接安装在印刷电路板或类似物上。
本专利文献的示例性实施例提供了一种发光装置,其能够通过具有优异的机械稳定性来降低故障的可能性。
技术方案
根据本专利文献的一个方面,提供了一种发光装置,其包括:发光结构,该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层;设置在发光结构上或上面的第一接触电极和第二接触电极,其分别与第一和第二导电型半导体层欧姆接触;绝缘层,该绝缘层将第一和第二接触电极彼此绝缘并且至少部分地覆盖第一和第二接触电极;设置在绝缘层上或上面的应力缓冲层;设置在发光结构和应力缓冲层上或上面的第一体电极(bulk electrode)和第二体电极,该第一和第二体电极电连接至第一和第二接触电极;以及绝缘支撑件,其覆盖第一和第二体电极的侧表面并且至少部分地暴露第一和第二体电极的上表面,其中第一体电极包括从第一体电极的侧表面向第二体电极突出的突出部,并且第二体电极包括从第二体电极的侧表面凹陷的凹部。
在一些实施方式中,突出部可以与凹部接合。
在一些实施方式中,突出部从第一体电极的侧表面到突出部的表面具有变化的宽度。
在一些实施方式中,凹部从第二体电极的侧表面到凹部的表面具有变化的宽度。
在一些实施方式中,第一体电极包括一个或多个附加突出部并且第二体电极包括一个或多个附加凹部,并且该一个或多个附加突出部和该一个或多个附加凹部接合。
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