[发明专利]一种半导体电镀设备

说明书

本发明公开了一种半导体电镀设备，电镀箱一侧设有外循环箱，外循环箱内设有外循环组件，出液口处的连接管上设有过滤组件，电镀箱内设有夹持装置，两组夹持装置中间上方处设有气流组件，夹持装置包括第一夹持杆、第二夹持杆、夹持槽、连接弹簧和限位组件，夹持槽内对称设有磁片，磁片中间用于固定晶圆片；本发明通过在夹持槽内对称设置磁片，晶圆片可以在夹持槽内通过磁片的相对吸引力进行悬浮固定，可以让晶圆片悬浮在电镀箱内的电镀液中，通过设置气泵和导气管可以通过充气让晶圆片在夹持槽滚动，保证电镀更加充分且均匀，通过设置外循环组件可以对电镀液进行循环利用。

技术领域

本发明涉及电镀设备领域，尤其涉及一种半导体电镀设备。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路，电镀是制作这些金属层的关键工艺之一，晶圆电镀是将晶圆置于电镀液中，将电压负极施加到晶圆上预先制作好的薄金属层，将电压正极施加到可溶解或不可溶解的阳极上，通过电场作用使得镀液中的金属离子沉积到晶圆表面；

传统的电镀过程中，晶圆处于固定状态，难以保证晶圆与电镀液的均匀接触，且现有的电镀设备在电镀过程中效率较低，晶圆在电镀时时静置状态，电镀液也是静止的，影响电镀效果，因此，本发明提出一种半导体电镀设备，以解决现有技术中的不足之处。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种半导体电镀设备，通过在夹持槽内对称设置磁片，晶圆片可以在夹持槽内通过磁片的相对吸引力进行悬浮固定，可以让晶圆片悬浮在电镀箱内的电镀液中，通过设置气泵和导气管可以通过充气让晶圆片在夹持槽滚动，保证电镀更加充分且均匀，通过设置外循环组件可以对电镀液进行循环利用。

本发明提出一种半导体电镀设备，包括电镀箱、外循环组件、过滤组件和夹持装置，所述电镀箱通过支撑柱支撑，所述电镀箱一侧设有外循环箱，所述外循环箱内设有外循环组件，所述电镀箱上方设有进液口，所述电镀箱底部设有出液口，所述进液口和出液口通过连接管连通外循环箱，且所述出液口处的连接管上设有过滤组件，所述电镀箱内设有夹持装置，所述夹持装置对称设有两组，两组所述夹持装置中间上方处设有气流组件，所述夹持装置包括第一夹持杆、第二夹持杆、夹持槽、连接弹簧和限位组件，所述电镀箱内侧壁上通过安装块固定设有第一夹持杆，所述第一夹持杆上通过转轴设有第二夹持杆，所述第二夹持杆上设有连接弹簧，所述连接弹簧与电镀箱连接，所述连接弹簧一侧的第二夹持杆上设有限位组件，所述第一夹持杆、第二夹持杆内侧设有夹持槽，所述夹持槽内对称设有磁片，所述磁片中间用于固定晶圆片。

进一步改进在于：所述外循环组件包括循环泵、导液管和控制阀，所述外循环箱内通过支撑块设有循环泵，所述循环泵上通过导液管连通连接管，所述出液口上设有控制阀。

进一步改进在于：所述过滤组件包括过滤箱、吸附层和过滤膜，所述过滤箱内壁上设有吸附层，所述过滤箱内设有过滤膜。

进一步改进在于：所述过滤膜包括第一过滤膜和第二过滤膜，所述第一过滤膜孔径大于第二过滤膜孔径。

进一步改进在于：所述气流组件包括气泵和导气管，所述电镀箱上方设有气泵，所述气泵上设有导气管，所述导气管位于两组所述夹持装置中间。

进一步改进在于：所述限位组件包括螺纹套筒和限位螺栓，所述第二夹持杆上设有螺纹套筒，所述电镀箱上设有限位螺栓，所述限位螺栓穿过电镀箱与螺纹套筒连接。

进一步改进在于：所述第一过滤膜、第二过滤膜为聚偏氟乙烯材质的过滤膜。